恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所应利良获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利具有大电感层的超导电路及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188472B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111492420.2，技术领域涉及：H10N60/01；该发明授权具有大电感层的超导电路及其制备方法是由应利良;张雪;何桂香;任洁;彭炜设计研发完成，并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有大电感层的超导电路及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有大电感层的超导电路及其制备方法，该超导电路包括：衬底；形成于衬底上的旁路电阻；形成于旁路电阻上的约瑟夫森结；形成于约瑟夫森结上的大电感层；形成于大电感层上的配线层；绝缘材料层，分别将旁路电阻、约瑟夫森结、大电感层及配线层电学隔离。该超导电路利用原配线层的中小电感设计中，再设计加入一层专门的大电感层应用于需要大电感的超导电路中，有效扩大了超导电路中的电感大小范围，拓宽了超导电路的应用场景，提高超导电路的集成度；另外，特定材料的大电感层同时还可以用作大电阻层，从而可进一步提升超导电路的集成度。
本发明授权具有大电感层的超导电路及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有大电感层的超导电路的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：1）提供衬底，并于所述衬底上形成旁路电阻；2）于上述得到的结构表面形成具有第一开孔的图形化的第一绝缘材料层，所述第一开孔显露所述旁路电阻；3）于上述得到的结构表面依次形成第一超导材料层、势垒材料层、第二超导材料层的三层薄膜结构；4）从上而下分别用不同的图案刻蚀所述三层薄膜结构以形成约瑟夫森结；5）于上述得到的结构表面形成图形化的第二绝缘材料层，并于所述第二绝缘材料层上形成大电感层；6）于上述得到的结构表面形成具有多个第二开孔的图形化的第三绝缘材料层，多个所述第二开孔分别显露所述大电感层及所述约瑟夫森结的上表面；7）于上述得到的结构表面形成第三超导材料层，并刻蚀所述第三超导材料层形成配线层。
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