恭喜东京应化工业株式会社木下哲郎获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜东京应化工业株式会社申请的专利保护膜形成剂及半导体芯片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114830301B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080087446.6，技术领域涉及：H01L21/301；该发明授权保护膜形成剂及半导体芯片的制造方法是由木下哲郎设计研发完成，并于2020-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本保护膜形成剂及半导体芯片的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供在半导体晶圆的切割中为了在半导体晶圆的表面形成保护膜而使用的、能够形成激光加工性优异的保护膜且吸光剂的溶解性优异的保护膜形成剂，及使用该保护膜形成剂的半导体芯片的制造方法。该保护膜形成剂包含水溶性树脂A、吸光剂B、碱性化合物C及溶剂S。碱性化合物C优选为烷基胺、烷醇胺、咪唑化合物、氨或碱金属的氢氧化物。保护膜形成剂中的吸光剂B的含量优选为0.1质量％以上10质量％以下。
本发明授权保护膜形成剂及半导体芯片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种保护膜形成剂，其为在半导体晶圆的切割中为了在半导体晶圆的表面形成保护膜而使用的保护膜形成剂，其特征在于，包含水溶性树脂A、吸光剂B、碱性化合物C以及溶剂S，所述水溶性树脂A是羟丙基纤维素或聚乙烯吡咯烷酮，所述吸光剂B为以下述式B1-1表示的化合物或以下述式B2表示的化合物，[化1] 式B1-1中，R1及R3分别独立地为羟基或羧基，R2及R4分别独立地为羟基、羧基或以-NR5R6表示的基团，R5及R6分别独立地为氢原子或碳原子数为1以上4以下的烷基，m及n分别独立地为0以上2以下的整数，[化2] 式B2中，R11为以-NR12R13表示的基团，R12及R13分别独立地为氢原子或碳原子数为1以上4以下的烷基，p为0以上3以下的整数，在p为2以上的情况下，多个R11可以相同也可以不同。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人东京应化工业株式会社，其通讯地址为：日本国神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号