恭喜东京毅力科创株式会社茂山和基获国家专利权
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龙图腾网恭喜东京毅力科创株式会社申请的专利基片处理系统中的输送方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112397369B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010766400.9,技术领域涉及:H01J37/32;该发明授权基片处理系统中的输送方法是由茂山和基;永关一也设计研发完成,并于2020-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本基片处理系统中的输送方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种基片处理系统中的输送方法。本发明的基片处理系统中的输送方法包括托盘送入步骤、测量步骤、调节步骤、基片载置步骤和托盘送出步骤。在托盘送入步骤中,将能够载置半导体基片和边缘环的托盘送入设置有载置台的载置室。在测量步骤中,测量载置于托盘的边缘环的位置以获取边缘环的位置信息。在调节步骤中,基于所获得的位置信息,调节半导体基片的位置。在基片载置步骤中,将位置调节后的半导体基片载置在托盘。在托盘送出步骤中,将载置有半导体基片和边缘环的托盘从上述载置室送出。本发明能够相对于边缘环将半导体基片配置在正确的位置。
本发明授权基片处理系统中的输送方法在权利要求书中公布了:1.一种基片处理系统中的输送方法,其特征在于,包括:将能够载置半导体基片和边缘环的托盘送入设置有载置台的载置室的托盘送入步骤,所述托盘包括导电性的托盘主体和形成于所述托盘主体的至少上表面的电介质膜;在所述载置室中,测量载置于所述托盘的所述边缘环的位置来获取所述边缘环的位置信息的测量步骤;基于所述位置信息调节所述半导体基片的位置的调节步骤;将位置调节后的所述半导体基片送入所述载置室并载置在所述托盘的基片载置步骤;对所述托盘主体施加电压以将所述半导体基片静电吸附到所述托盘的吸附步骤;以及将载置有所述半导体基片和所述边缘环的所述托盘从所述载置室输送到处理装置的托盘输送步骤。
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