恭喜旺宏电子股份有限公司林威良获国家专利权
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龙图腾网恭喜旺宏电子股份有限公司申请的专利存储器元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113053905B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010000846.0，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权存储器元件及其制备方法是由林威良;蔡文哲设计研发完成，并于2020-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种存储器元件及其制备方法，存储器元件包括一衬底、一叠层结构、多个通道结构、一存储层以及多个隔离结构。衬底具有一上表面。叠层结构位于衬底的上表面上，其中叠层结构包括依序叠层于衬底上的一第一绝缘层、一第一导电层、一第二绝缘层、一第二导电层以及一第三绝缘层。通道结构穿过叠层结构并电性连接于衬底，其中各通道结构包括一上部部分及一下部部分，上部部分对应于第二导电层，下部部分对应于第一导电层。存储层位于第二导电层与上部部分之间。隔离结构穿过叠层结构以将叠层结构分隔为多个次叠层。
本发明授权存储器元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器元件，包括：一衬底，具有一上表面；一叠层结构，位于该衬底的该上表面上，其中该叠层结构包括依序叠层于该衬底上的一第一绝缘层、一第一导电层、一第二绝缘层、一第二导电层以及一第三绝缘层；多个通道结构，穿过该叠层结构并电性连接于该衬底，其中各该通道结构包括一上部部分及一下部部分，该上部部分对应于该第二导电层，该下部部分对应于该第一导电层；一存储层，位于该第二导电层与该上部部分之间；多个隔离结构，穿过该叠层结构以将该叠层结构分隔为多个次叠层；以及一热氧化层，位于该第一导电层与各该通道结构之间，该热氧化层直接接触该第一导电层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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