恭喜芯成半导体(开曼)有限公司S·阿拉基获国家专利权
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龙图腾网恭喜芯成半导体(开曼)有限公司申请的专利自旋轨道扭矩磁存储器阵列及其制造获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113841248B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980092229.3，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权自旋轨道扭矩磁存储器阵列及其制造是由S·阿拉基设计研发完成，并于2019-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本自旋轨道扭矩磁存储器阵列及其制造在说明书摘要公布了：一种磁存储器件300，包括在沿着第一方向延伸的第一导线102和沿着第二方向延伸的第二导线314的网格交叉处的自旋轨道扭矩磁随机存取存储器SOT‑MRAM器件104和写入电路，所述写入电路包括第一晶体管116和第二晶体管118，第一晶体管被耦合到每个对应第一导线以在第一方向上沿着第一导线施加第一写入电流120，第二晶体管118用于选择单独的SOT‑MRAM器件并沿着垂直于单独的SOT‑MRAM器件的层的轴线向单独的SOT‑MRAM器件施加第二写入电流122。对应的制造方法包括沉积公共层和电隔离相应公共层的不同实例。
本发明授权自旋轨道扭矩磁存储器阵列及其制造在权利要求书中公布了：1.一种制造磁存储器件的方法，包括：沉积第一导电材料层，所述第一导电材料层被用于形成自旋轨道扭矩SOT线；电隔离所述第一导电材料层以形成沿着第一方向延伸的多个第一导线；在所述第一导电材料层上沉积公共组器件层；电隔离所述公共组器件层以形成多个自旋轨道扭矩磁随机存取存储器SOT-MRAM器件，其中，所述多个SOT-MRAM器件中的每个SOT-MRAM器件位于所述第一导电材料层上；在所述公共组器件层上沉积第二导电材料层；以及电隔离所述第二导电材料层以形成沿着第二方向延伸的多个第二导线，其中，所述第二方向不同于所述第一方向，其中，电隔离所述公共组器件层包括将所述公共组器件层蚀刻成在第二方向上延伸的线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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