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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112951825B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911257093.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件及其制作方法是由吴秉桓设计研发完成，并于2019-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体器件及其制作方法。包括：获取包括存储单元阵列区的衬底；形成字线沟槽；在字线沟槽内形成字线导电薄膜；在衬底表面形成光刻胶，光刻胶覆盖字线部的字线导电薄膜且露出字线接触部之外的字线导电薄膜；使得字线接触部的字线导电结构的厚度大于未被光刻胶覆盖的字线导电结构的厚度。通过在衬底表面形成光刻胶，使得字线接触部的字线导电结构的厚度大于未被光刻胶覆盖的字线导电结构的厚度，从而降低了字线接触结构中字线接触孔的开窗位置深度，减少了形成接触孔工艺制程中的工艺时间，降低了接触孔工艺制程中对接触孔开窗深度较浅的接触孔的侧壁的过度侵蚀，避免了接触孔异常引起的器件短路异常。

本发明授权一种半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法,包括：获取衬底，所述衬底包括存储单元阵列区；在所述存储单元阵列区形成间隔排布的字线沟槽；在所述字线沟槽内填充字线导电材料，形成字线导电薄膜，所述字线导电薄膜的表面与所述衬底的表面齐平；在所述衬底表面形成光刻胶，所述光刻胶覆盖字线接触部的字线导电薄膜且露出字线接触部之外的字线导电薄膜；以所述光刻胶为阻挡层，将未被所述光刻胶覆盖的所述字线导电薄膜蚀刻至目标高度后得到字线导电结构，使得所述字线接触部的字线导电结构的厚度大于未被所述光刻胶覆盖的字线导电结构的厚度，即所述字线接触部的表面与所述衬底的表面齐平，所述字线导电结构的表面低于所述衬底的表面；去除所述光刻胶；所述衬底还包括周边电路区，所述周边电路区包括晶体管有源区，所述方法还包括：在所述衬底表面形成绝缘介质层，所述绝缘介质层包括位于所述存储单元阵列区的第一绝缘介质层和位于所述周边电路区的第二绝缘介质层，所述第一绝缘介质层覆盖所述字线接触部以及所述字线导电结构的表面，所述第二绝缘介质层覆盖所述晶体管有源区的表面，其中，所述第一绝缘介质层和所述第二绝缘介质层的表面齐平，其中，所述第一绝缘介质层和所述第二绝缘介质层是通过同一工艺制程形成的；图形化所述第一绝缘介质层和所述第二绝缘介质层，在所述字线接触部上形成字线接触孔，在所述晶体管有源区上形成有源区接触孔。

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