恭喜长鑫存储技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112908840B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911220158.9，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权半导体结构及其形成方法、存储器是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2019-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法、存储器在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法、一种存储器，所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底，所述衬底内形成有至少一个长条状有源区，所述有源区被隔离结构包围；刻蚀所述有源区及所述有源区两侧的隔离结构，形成栅极凹槽，所述栅极凹槽的长度方向与所述有源区的长度方向相交，所述栅极凹槽包括位于所述有源区内的第一凹槽和位于所述隔离结构内的第二凹槽，且所述第一凹槽底部的有源区顶部表面平坦，边缘圆滑；在所述栅极凹槽内形成栅极结构。上述方法形成的半导体结构的性能提高。
本发明授权半导体结构及其形成方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内形成有至少一个长条状有源区，所述有源区被隔离结构包围；刻蚀所述有源区及所述有源区两侧的隔离结构，形成栅极凹槽，所述栅极凹槽的长度方向与所述有源区的长度方向相交，所述栅极凹槽包括位于所述有源区内的第一凹槽和位于所述隔离结构内的第二凹槽，且所述第一凹槽底部的有源区顶部表面平坦，边缘圆滑；在所述栅极凹槽内形成栅极结构；其中，所述第一凹槽的深度小于所述第二凹槽的深度，且所述第一凹槽底部的有源区顶部边缘的顶角圆滑。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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