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龙图腾网恭喜半导体元件工业有限责任公司申请的专利用于降低氮化镓晶体管中栅极电压振荡的可变电阻获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111092119B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910990760.4，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权用于降低氮化镓晶体管中栅极电压振荡的可变电阻是由J·罗伊格-吉塔特;A·康斯坦特;F·J·G·德克勒克设计研发完成，并于2019-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于降低氮化镓晶体管中栅极电压振荡的可变电阻在说明书摘要公布了：本发明题为“用于降低氮化镓晶体管中栅极电压振荡的可变电阻”。本发明提供了一种半导体晶体管器件，该半导体晶体管器件包括GaN晶体管，该GaN晶体管包括漏极、栅极和源极，GaN晶体管具有驱动电压，该驱动电压施加在栅极和源极两端，并且被配置为在与GaN晶体管的导通状态相关联的导通电压和与GaN晶体管的关断状态相关联的关断电压之间切换。半导体晶体管器件还包括可变栅极‑源极电阻器，该可变栅极‑源极电阻器连接在栅极和源极之间并具有可变电阻，该可变电阻响应于驱动电压当在GaN晶体管的导通状态和关断状态之间切换时的变化而改变。

本发明授权用于降低氮化镓晶体管中栅极电压振荡的可变电阻在权利要求书中公布了：1.一种半导体晶体管器件，包括：GaN晶体管，所述GaN晶体管包括漏极、栅极和源极，所述GaN晶体管具有驱动电压，所述驱动电压施加在所述栅极和所述源极两端，并且被配置为在与所述GaN晶体管的导通状态相关联的导通电压和与所述GaN晶体管的关断状态相关联的关断电压之间切换，其中，所述驱动电压响应于在所述导通状态和所述关断状态之间的转换而振荡，所述驱动电压的振荡具有高于所述驱动电压的切换频率的谐振频率；和可变栅极-源极电阻器，所述可变栅极-源极电阻器连接在所述栅极和所述源极之间并具有可变电阻，所述可变电阻响应于所述驱动电压当在所述GaN晶体管的所述导通状态和所述关断状态之间切换时的变化而改变，其中，所述可变栅极-源极电阻器包括电阻介电区，所述电阻介电区的长度短于使得所述可变栅极-源极电阻器的所述可变电阻随所述GaN晶体管的所述驱动电压而直接改变且随所述驱动电压的驱动频率而间接改变的阈值长度。

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