恭喜台湾积体电路制造股份有限公司张丰愿获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利形成穿孔结构的方法、计算机可读媒体及计算机系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110797319B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910639859.X，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权形成穿孔结构的方法、计算机可读媒体及计算机系统是由张丰愿;刘钦洲;钱清河;叶政宏;黄博祥;詹森博;郑仪侃;水修铨设计研发完成，并于2019-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成穿孔结构的方法、计算机可读媒体及计算机系统在说明书摘要公布了：三维集成电路IC封装的通孔结构的结构及方法。通孔结构包括：中间部分，延伸穿过平面结构；以及第一端及第二端，各自连接到中间部分且位于平面结构的不同侧上。第一端及第二端中的一者或多者包括多个通孔及准金属层中的一者或多者。
本发明授权形成穿孔结构的方法、计算机可读媒体及计算机系统在权利要求书中公布了：1.一种形成延伸式硅穿孔结构的方法，包括：将准金属层及多个通孔中的一者或多者连接到硅穿孔的一端以形成所述延伸式硅穿孔结构；界定所述准金属层及所述多个通孔中的所述一者或多者的布线性质，其中所述准金属层的布线性质包括不可连接到内连线，且所述多个通孔的布线性质包括可连接到所述准金属层、所述硅穿孔及所述内连线；以及响应于所述准金属层及所述多个通孔的连接图案与相应的布线性质相符，将所述延伸式硅穿孔结构的所述端连接到所述内连线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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