恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈冠宇获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利芯片封装件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110660751B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910293383.9，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权芯片封装件及其制作方法是由陈冠宇;苏安治;叶德强;黄立贤;叶名世设计研发完成，并于2019-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片封装件及其制作方法在说明书摘要公布了：一种芯片封装件，包括集成电路组件、导热层、绝缘包封体及重布线路结构。所述集成电路组件包括位于所述集成电路组件的后表面处的非晶半导体部分。所述导热层覆盖所述集成电路组件的所述非晶半导体部分，其中所述导热层的导热率大于或大体上等于10WmK。所述绝缘包封体在横向上对所述集成电路组件及所述导热层进行包封。所述重布线路结构设置在所述绝缘包封体及所述集成电路组件上，其中所述重布线路结构电连接到所述集成电路组件。
本发明授权芯片封装件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装件，其特征在于，包括：集成电路组件，包括位于所述集成电路组件的后表面处的非晶半导体部分；导热层，覆盖所述集成电路组件的所述非晶半导体部分，其中所述导热层的导热率介于10WmK到250WmK的范围内；绝缘包封体，对所述集成电路组件及所述导热层进行包封；重布线路结构，设置在所述绝缘包封体及所述集成电路组件上，其中所述重布线路结构电连接到所述集成电路组件；半导体器件，设置于所述集成电路组件及所述绝缘包封体之上，其中所述半导体器件电连接所述集成电路组件；多个导电穿孔贯穿所述绝缘包封体；以及多个导电凸块，设置于所述半导体器件与所述多个导电穿孔贯穿之间，其中所述半导体器件通过所述多个导电凸块、所述多个导电穿孔贯及所述重布线路结构电连接所述集成电路组件。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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