恭喜三星电子株式会社柳炳赞获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109768042B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811316090.X，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体器件是由柳炳赞;俞宗昊;李炯宗设计研发完成，并于2018-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括：下层间绝缘膜，包括彼此相邻的第一沟槽和第二沟槽；第一栅极结构，位于第一沟槽内，并且在第一方向上延伸；第二栅极结构，位于第二沟槽内，并且在第一方向上延伸；源极漏极，与第一栅极结构和第二栅极结构相邻；上层间绝缘膜，位于下层间绝缘膜上；以及连接到源极漏极的接触部，接触部位于上层间绝缘膜和下层间绝缘膜中，其中，接触部包括第一侧壁和第二侧壁，接触部的第一侧壁和接触部的第二侧壁彼此不对称，并且接触部不与第一栅极结构和第二栅极结构在竖直方向上交迭。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：下层间绝缘膜，包括彼此相邻的第一沟槽和第二沟槽；第一栅极结构，位于所述第一沟槽内，并且在第一方向上延伸；第二栅极结构，位于所述第二沟槽内，并且在所述第一方向上延伸；源极漏极，与所述第一栅极结构和所述第二栅极结构相邻；上层间绝缘膜，位于所述下层间绝缘膜上；以及连接到所述源极漏极的接触部，所述接触部位于所述上层间绝缘膜和所述下层间绝缘膜中，其中，所述接触部包括面对所述第一栅极结构的第一侧壁和与所述第一侧壁相对且面对所述第二栅极结构的第二侧壁，其中，所述接触部的第一侧壁与所述接触部的第二侧壁彼此不对称，并且其中，所述接触部不与所述第一栅极结构和所述第二栅极结构在竖直方向上交迭。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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