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龙图腾网恭喜龙骧鑫睿(厦门)科技有限公司申请的专利一种改良型UVLO电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119582108B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510134720.5，技术领域涉及：H02H3/20；该发明授权一种改良型UVLO电路是由王腾龙设计研发完成，并于2025-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改良型UVLO电路在说明书摘要公布了：公开了一种改良型UVLO电路，包括带隙基准电路和选择比较保护电路，所述带隙基准电路用于输出具有零温度系数的带隙基准电压，所述选择比较保护电路包括选择电路、比较电路和电压采样电路，所述选择比较保护电路基于所述选择电路决定所述电压采样电路的输出是否作为所述比较电路的输入，并通过所述比较电路与带隙基准电路的输出相比较进行欠压保护。

本发明授权一种改良型UVLO电路在权利要求书中公布了：1.一种改良型UVLO电路，包括带隙基准电路和选择比较保护电路，其特征在于，所述带隙基准电路用于输出具有零温度系数的带隙基准电压，所述选择比较保护电路包括选择电路、比较电路和电压采样电路，所述选择比较保护电路基于所述选择电路决定所述电压采样电路的输出是否作为所述比较电路的输入，并通过所述比较电路与带隙基准电路的输出相比较进行欠压保护，其中：所述带隙基准电路包括第一至第四电阻、宽长比一样的第一至第三PMOS管、第一运算放大器、第一至第二N-双极型晶体管，其中：第一至第三PMOS管的栅极与第一运算放大器的输出端相连，第一至第三PMOS管的源极与电源端相连，第一PMOS管的漏极分别与第一电阻的一端、第一N-双极型晶体管的发射极、第一运算放大器的同相输入端相连，第二PMOS管的漏极与第二电阻的一端、第三电阻的一端、第一运算放大器的反相输入端相连，第一电阻的阻值等于第二电阻，第三PMOS管的漏极与第四电阻的一端、第三切换开关的第一端点相连，第四电阻的电压作为所述带隙基准电路的输出，第二电阻的另一端与第二N-双极型晶体管的发射极相连，第一电阻的另一端、第一N-双极型晶体管的集电极、第二N-双极型晶体管的集电极、第三电阻的另一端、第四电阻的另一端接地；所述比较电路包括电源端、使能电压端、第四至第七PMOS管、第三单向开关、第八至第十二电阻、第三至第五P-双极型晶体管，第八至第十一电阻的阻值相等，所述电源端与第四PMOS管、第五PMOS管的源极相连，所述使能电压端与第四PMOS管、第五PMOS管的栅极相连，第五PMOS管的漏极与第五P-双极型晶体管的集电极相连且其结点作为所述比较电路的输出，第六PMOS管的漏极与第八电阻的一端、第十电阻的一端相连，第三P-双极型晶体管的基极与第十电阻的另一端、第三P-双极型晶体管的集电极、第四P-双极型晶体管的基极相连，第七PMOS管的漏极与第九电阻的一端、第十一电阻的一端相连，第四P-双极型晶体管的集电极与第十一电阻的另一端、第五P-双极型晶体管的基极相连，第四P-双极型晶体管的发射极与第十二电阻的一端相连，第三P-双极型晶体管的发射极、第十二电阻的另一端及第五P-双极型晶体管的发射极接地，第三单向开关连于第十二电阻的两端控制第十二电阻的连接；所述选择电路包括第一至第三切换开关；第一切换开关的第一端点与第六PMOS管的栅极相连，第一切换开关的第二端点与第三切换开关的第二端点相连，第一切换开关的第三端点与所述UVLO电路的输出、第二切换开关的第三端点相连；第二切换开关的第一端点与第七PMOS管的栅极相连，第二切换开关的第二端点与所述电压采样电路相连；第三切换开关的第一端点与所述带隙基准电路的输出相连，第三切换开关的第三端点与第四PMOS管的漏极、第六PMOS管的源极、第七PMOS管的源极、第八电阻的另一端及第九电阻的另一端相连。

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