恭喜北京大学贺明获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京大学申请的专利基于自掺杂效应的光电探测器及其作为动态神经网络加速器的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486290B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510027717.3，技术领域涉及：H10F30/282；该发明授权基于自掺杂效应的光电探测器及其作为动态神经网络加速器的应用是由贺明;刘硕;刘鋆灵;许蕾;黄如设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于自掺杂效应的光电探测器及其作为动态神经网络加速器的应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于自掺杂效应的光电探测器及其作为动态神经网络加速器的应用，属于高性能传感和感存算一体技术领域。所述光电探测器采用层状二维半导体铋氧硒作为沟道层，通过界面酸刻蚀法调控硒空位位置，使其与电子传输层分离，实现光响应度的自调制效应，并实现宽范围的光响应度幅度调制、光响应度变化时间常数调制。采用该光电探测器作为动态片上光学神经网络加速器可有效进行动态权重调节，用于连续变化的物体特征识别，包括旋转、移动、退化条件下物体的识别与探测任务。
本发明授权基于自掺杂效应的光电探测器及其作为动态神经网络加速器的应用在权利要求书中公布了：1.一种光电探测器，包括衬底和栅介质层，以及位于栅介质层上的层状二维铋氧硒沟道层，沟道层的两端为源漏电极，其特征在于，所述层状二维铋氧硒沟道层的下部为具有硒空位的界面缺陷层，上部为沟道传输层；所述界面缺陷层是具有硒空位的1~2层二维铋氧硒，其中硒空位缺陷浓度为4.2×1012cm2~1.6×1013cm2；所述沟道传输层的厚度为8nm~12nm。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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