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龙图腾网恭喜深圳优普莱等离子体技术有限公司;广东优普莱金刚石技术有限公司申请的专利一种不中断金刚石生长的石墨刻蚀方法、系统及终端获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119392209B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411978371.7，技术领域涉及：C23C16/44；该发明授权一种不中断金刚石生长的石墨刻蚀方法、系统及终端是由陈月;全峰设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种不中断金刚石生长的石墨刻蚀方法、系统及终端在说明书摘要公布了：本发明公开了一种不中断金刚石生长的石墨刻蚀方法、系统及终端，所述方法包括：确定待生长单晶金刚石以及第一生长环境，并根据第一生长环境对待生长单晶金刚石进行第一阶段生长处理；当待生长单晶金刚石的第一阶段生长处理完成时，对第一生长环境进行工艺气体比例调整处理以及降温处理，得到第二生长环境；根据第二生长环境对待生长单晶金刚石进行第二阶段生长处理，得到目标单晶金刚石，并根据第二生长环境对MPCVD设备中石英上的石墨进行刻蚀处理，得到石墨刻蚀结果。本发明通过构建第二生长环境，能够在不中断金刚石生长的条件下，对石英上的石墨进行去除，不仅保证了设备的正常运行，还有效延长了金刚石的单次生长时间。

本发明授权一种不中断金刚石生长的石墨刻蚀方法、系统及终端在权利要求书中公布了：1.一种不中断金刚石生长的石墨刻蚀方法，其特征在于，所述不中断金刚石生长的石墨刻蚀方法包括：确定待生长单晶金刚石以及第一生长环境，并根据所述第一生长环境对所述待生长单晶金刚石进行第一阶段生长处理；其中，所述第一生长环境包括第一预设浓度比例的第一预设工艺气体、第二预设浓度比例的第二预设工艺气体、第三预设浓度比例的第三预设工艺气体、第四预设浓度比例的第四预设工艺气体、第五预设浓度比例的第五预设工艺气体、预设气压范围、预设功率范围以及第一预设温度范围；其中，所述第一预设工艺气体为氢气，所述第二预设工艺气体为氮气，所述第三预设工艺气体为氧气，所述第四预设工艺气体为甲烷，所述第五预设工艺气体为氩气；当所述待生长单晶金刚石在所述第一生长环境中的生长时间达到第一预设生长时间范围时，表示所述待生长单晶金刚石的第一阶段生长处理完成；在第一预设时间范围内，将所述第一生长环境中所述第二预设工艺气体的所述第二预设浓度比例下降至第六预设浓度比例，得到所述第六预设浓度比例的所述第二预设工艺气体；在第二预设时间范围内，将所述第一生长环境中所述第四预设工艺气体的所述第四预设浓度比例下降至第七预设浓度比例，得到所述第七预设浓度比例的所述第四预设工艺气体；将所述第一生长环境中的所述第一预设温度范围下降至第二预设温度范围，得到第二生长环境；其中，所述第二生长环境包括所述第一预设浓度比例的所述第一预设工艺气体、所述第六预设浓度比例的所述第二预设工艺气体、所述第三预设浓度比例的所述第三预设工艺气体、所述第七预设浓度比例的所述第四预设工艺气体、所述第五预设浓度比例的所述第五预设工艺气体、所述预设气压范围、所述预设功率范围以及所述第二预设温度范围；根据所述第二生长环境对所述待生长单晶金刚石进行第二阶段生长处理，得到目标单晶金刚石，并根据所述第二生长环境对MPCVD设备中石英上的石墨进行刻蚀处理，得到石墨刻蚀结果。

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