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龙图腾网恭喜上海裕芯电子科技有限公司申请的专利一种异步降压芯片单基岛封装结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119400770B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411976093.1，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权一种异步降压芯片单基岛封装结构及方法是由谢潇设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种异步降压芯片单基岛封装结构及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种异步降压芯片单基岛封装结构及方法，包括引线框架、单基岛、集成控制电路晶圆、硅片、陶瓷贴片电容、叠层型贴片电感和肖特基二极管，通过在引线框架设置单基岛和多个引脚，将单基岛分为第一芯片区和第二芯片区，将集成控制电路晶圆放置在第一芯片区上，将硅片放置在第二芯片区上，将陶瓷贴片电容和叠层型贴片电感互相键合连接并分别放置于硅片上，将肖特基二极管放置于硅片上，减少了电路板上元件数量，减小电路板面积，降低制作成本和PCB的调试难度。

本发明授权一种异步降压芯片单基岛封装结构及方法在权利要求书中公布了：1.一种异步降压芯片单基岛封装结构，其特征在于，包括：引线框架（302），包括单基岛（112）和多个引脚，所述单基岛（112）包括第一芯片区和第二芯片区，所述引线框架（302）包括电源输入引脚（111）、信号反馈引脚（113）、功率地引脚（114）和开关输出引脚（115），所述电源输入引脚（111）、信号反馈引脚（113）、功率地引脚（114）和开关输出引脚（115）在所述引线框架（302）上的位置不固定；集成控制电路晶圆（340），置于所述第一芯片区，在所述集成控制电路晶圆（340）和所述第一芯片区之间设有第一导电介质（121），所述集成控制电路晶圆（340）包括电源输入VIN端、开关输出SW端、自举BST端、功率地GND端和信号反馈FB端；硅片（201），置于所述第二芯片区，所述硅片（201）的一面设置为导电金属层（220），另一面设置为硅面（221），所述硅面（221）和所述第二芯片区之间设有第一绝缘介质（212），所述导电金属层（220）上还设有陶瓷贴片电容（207）、叠层型贴片电感（204）和肖特基二极管（210），所述陶瓷贴片电容（207）包括第一电容端点（206）和第二电容端点（208）；所述叠层型贴片电感（204）包括第一电感端点（203）和第二电感端点（205），所述第二电感端点（205）和第一电容端点（206）键合；所述肖特基二极管（210）包括顶部阳极（222）、底部阴极（224）和半导体（223），所述肖特基二极管（210）的顶部阳极（222）与所述引线框架（302）键合连接，所述肖特基二极管（210）的底部阴极（224）与所述硅片（201）的导电金属层（220）通过第二导电介质（211）连接；塑封体（301），用于包裹所述引线框架（302）、集成控制电路晶圆（340）、硅片（201）、陶瓷贴片电容（207）、叠层型贴片电感（204）以及肖特基二极管（210）；所述集成控制电路晶圆（340）的电源输入VIN端与所述引线框架（302）的电源输入引脚（111）键合连接；开关输出SW端与所述肖特基二极管（210）的底部阴极（224）以及所述叠层型贴片电感（204）的第二电感端点（205）键合连接；自举BST端与所述陶瓷贴片电容（207）的第二电容端点（208）键合连接；信号反馈FB端与所述引线框架（302）的信号反馈引脚（113）键合连接；功率地GND端与所述引线框架（302）的功率地引脚（114）键合连接，且与所述肖特基二极管（210）的顶部阳极（222）间接导通。

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