恭喜上海功成半导体科技有限公司高学获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海功成半导体科技有限公司申请的专利一种新型功率器件的制备方法及功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403160B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411975013.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种新型功率器件的制备方法及功率器件是由高学;柴展;罗杰馨设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型功率器件的制备方法及功率器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种新型功率器件的制备方法及功率器件，涉及功率半导体器件技术领域，能够解决SGTMOSFET器件快关断下Vds的应力过大的问题，进而可以提高器件的稳定性。所述方法包括：在第一衬底的第一表面形成外延层；在所述外延层上形成多个多晶硅，所述多晶硅包括第一多晶硅和第二多晶硅，所述第一多晶硅和所述第二多晶硅交替排布；将每个所述第一多晶硅与第一电极连接，将每个所述第二多晶硅与第二电极连接，得到目标结构；将所述第一电极与器件结构的栅极连接，将所述第二电极与器件结构的源极连接。
本发明授权一种新型功率器件的制备方法及功率器件在权利要求书中公布了：1.一种新型功率器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在第一衬底的第一表面形成外延层；在所述外延层上形成多个多晶硅，所述多晶硅包括第一多晶硅和第二多晶硅，所述第一多晶硅和所述第二多晶硅交替排布；将每个所述第一多晶硅与第一电极连接，将每个所述第二多晶硅与第二电极连接，得到目标结构；将所述第一电极与预先制备的SGTMOSFET的器件结构的栅极连接，将所述第二电极与器件结构的源极连接。
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