恭喜淮安澳洋顺昌光电技术有限公司宋长伟获国家专利权
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龙图腾网恭喜淮安澳洋顺昌光电技术有限公司申请的专利一种LED芯片及其制备方法、半导体发光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384117B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411945191.9，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种LED芯片及其制备方法、半导体发光元件是由宋长伟;叶大千;连伟杰;郭园;黄理承;芦玲设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED芯片及其制备方法、半导体发光元件在说明书摘要公布了：本发明涉及发光二极管技术领域，具体而言，涉及一种LED芯片及其制备方法、半导体发光元件。LED芯片包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，发光层包括绿光发光区、蓝光发光区和增补发光区；增补肼层In浓度≥蓝光肼层In浓度，增补肼层厚度＞蓝光肼层厚度。通过在蓝光发光区之后生长增补发光区，增补发光区的阱层较厚，其能障较低，可以拉动整个发光区的能带，改变载流子在整个量子阱中的分布，使载流子分布更靠近第二半导体层侧，且增补区因其有较厚的肼层，可以缓冲与后面第二半导体层产生的失配应力，减少后续生长对发光区的破坏，从而提升整个器件的亮度；最后，增补发光发出的波长与蓝光发光区接近，可增强蓝光发光区的强度。
本发明授权一种LED芯片及其制备方法、半导体发光元件在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片，其特征在于，包括衬底、第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述发光层包括依次设置在所述第一半导体层上的绿光发光区、蓝光发光区和增补发光区；所述增补发光区中增补阱层的In浓度＞所述蓝光发光区中蓝光阱层的In浓度；和或，所述增补发光区中增补阱层的厚度＞所述蓝光发光区中蓝光阱层的厚度，且所述增补发光区中增补阱层的厚度与所述蓝光发光区中蓝光阱层的厚度之比为1.1~5：1；所述增补发光区发出的增补光的波长范围在410nm~480nm之间。
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