买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜北京大学申请的专利一种光-热隔离的共封装结构制备方法和共封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342932B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411886622.9，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种光-热隔离的共封装结构制备方法和共封装结构是由陈浪;王玮;杨舟设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光-热隔离的共封装结构制备方法和共封装结构在说明书摘要公布了：本申请提供一种光‑热隔离的共封装结构制备方法和共封装结构，涉及半导体技术领域，包括：获取封装所需的第一转接板；确定热敏感芯片待放置在第一转接板上的第一位置，在第一位置的四周制备热隔离结构，热隔离结构包括：填充聚对二甲苯的第一通孔结构和第二通孔结构，第一通孔结构与第二通孔结构之间的距离小于第一距离；在第一转接板的第一表面上定义第一互连金属电极和第二互连金属电极；将光隔离芯片埋入第一转接板中，并将光隔离芯片的电极连接至第一表面上的所述第一互连金属电极；将热敏感芯片固定在第一位置，通过打线工艺将热敏感芯片连接至第一表面上的第二互连金属电极，得到热敏感芯片‑光隔离芯片共封装结构。

本发明授权一种光-热隔离的共封装结构制备方法和共封装结构在权利要求书中公布了：1.一种光-热隔离的共封装结构制备方法，其特征在于，所述方法包括：获取封装所需的第一转接板；确定热敏感芯片待放置在所述第一转接板上的第一位置，在所述第一位置的四周制备热隔离结构，所述热隔离结构包括：填充聚对二甲苯的第一通孔结构和第二通孔结构，所述第一通孔结构与所述第二通孔结构之间的距离小于第一距离；所述热隔离结构围绕成环状，所述第一通孔结构构成内环，所述第二通孔结构构成外环；通过光刻-剥离的方式在所述第一转接板的第一表面上定义第一互连金属电极和第二互连金属电极；将光隔离芯片埋入所述第一转接板的芯片填埋槽中，并将所述光隔离芯片的电极连接至所述第一表面上的所述第一互连金属电极；将所述热敏感芯片固定在所述第一表面的所述第一位置上，通过打线工艺将所述热敏感芯片连接至所述第一表面上的所述第二互连金属电极，得到热敏感芯片-光隔离芯片共封装结构；其中，所述光隔离芯片为光发射器件VCSEL，用于发出激光信号；所述热敏感芯片为光探测器件APD，用于接收光发射器件发出的激光信号；在所述第一位置的四周制备热隔离结构，包括：在所述第一转接板的第一表面上所述第一位置的四周进行图像化刻蚀，得到第一盲孔与第二盲孔，所述第一盲孔与所述第二盲孔之间的距离小于所述第一距离；所述第一盲孔和所述第二盲孔的刻蚀深度大于所述光隔离芯片的厚度；在所述第一转接板的第一表面上沉积聚对二甲苯，使所述第一盲孔与所述第二盲孔中完全填充聚对二甲苯；通过氧等离子体刻蚀或者化学机械研磨的方式，去除所述第一表面上多余的聚对二甲苯；在所述第一转接板背离所述第一表面一侧的表面进行减薄，减薄至所述第一盲孔与所述第二盲孔中的聚对二甲苯露出，得到填充有聚对二甲苯的所述第一通孔结构和所述第二通孔结构；所述方法还包括：通过刻蚀的方式，去除所述第一通孔结构和所述第二通孔结构之间的第一转接板材料，形成聚对二甲苯-空气-聚对二甲苯的热隔离层作为所述热隔离结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京大学，其通讯地址为：100871 北京市海淀区颐和园路5号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。