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龙图腾网恭喜西安电子科技大学广州研究院申请的专利绝缘栅MIS HEMT器件、制备方法、芯片及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119325270B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411864587.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权绝缘栅MIS HEMT器件、制备方法、芯片及电子设备是由李祥东;翟丽荔;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本绝缘栅MIS HEMT器件、制备方法、芯片及电子设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种绝缘栅MISHEMT器件、制备方法、芯片及电子设备，该器件结构包括：衬底层，依次位于衬底层上的成核层、过渡层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层和C掺杂的C:GaN绝缘层；金属层，位于绝缘层上；隔离结构，位于HEMT器件的侧壁，其中，隔离结构贯穿于势垒层、插入层和沟道层，且位于缓冲层上；钝化层，位于金属层的和势垒层的上表面、绝缘层的和金属层的侧壁；栅极，位于栅极开孔区域，且贯穿钝化层至金属层的上表面；源极和漏极，分别位于栅极的不同侧其中，源极和漏极贯穿于所述钝化层、势垒层、插入层和部分沟道层。本申请通过设置C:GaN绝缘层和高阻缓冲层，使得器件具有较正的阈值电压，减少器件的栅极漏电，提高了器件的栅极的耐压特性。

本发明授权绝缘栅MIS HEMT器件、制备方法、芯片及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种绝缘栅MISHEMT器件，其特征在于，包括：衬底层，依次位于所述衬底层上的成核层、过渡层、缓冲层、沟道层、插入层和势垒层；绝缘层，位于所述势垒层上，其中，所述绝缘层的材料为：C掺杂的C:GaN，所述绝缘层的厚度范围为50nm-90nm，所述绝缘层中C元素掺杂浓度为1018cm-3-1020cm-3；金属层，位于所述绝缘层上；隔离结构，位于所述HEMT器件的侧壁，其中，所述隔离结构贯穿于所述势垒层、所述插入层和所述沟道层，且位于所述缓冲层上；钝化层，位于所述金属层的上表面和所述势垒层的上表面、所述绝缘层的侧壁和所述金属层的侧壁；栅极，位于栅极开孔区域，且贯穿所述钝化层至所述金属层的上表面；源极，位于所述栅极的一侧，其中，所述源极贯穿于所述钝化层、所述势垒层、所述插入层和部分所述沟道层；漏极，位于所述栅极的另一侧，其中，所述漏极贯穿于所述势垒层、所述插入层和部分所述沟道层。

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