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龙图腾网恭喜北京大学申请的专利一种半导体材料中施主束缚激子双电子跃迁速率的测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119290825B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411833261.1，技术领域涉及：G01N21/63；该发明授权一种半导体材料中施主束缚激子双电子跃迁速率的测量方法是由唐宁;李国平;沈波;付雷;陈帅宇;张迩翡设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体材料中施主束缚激子双电子跃迁速率的测量方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体材料中施主束缚激子双电子跃迁速率的测量方法，属于半导体材料的测量表征领域。该测量方法包括：1、由稳态光致发光光谱测量各温度下半导体材料中施主束缚激子峰的峰强和对应双电子跃迁峰的峰强；2、由时间分辨光致发光光谱测量各温度下施主束缚激子峰的寿命；3、由推得施主束缚激子峰的量子效率，结合推得施主束缚激子的辐射复合寿命；4、由双电子跃迁峰和施主束缚激子峰的相对强度除以施主束缚激子辐射复合寿命,得各温度下施主束缚激子的双电子跃迁速率。本发明解决了双电子跃迁速率难以测量的问题，能够快速准确获得双电子跃迁速率随温度的变化规律，对研究施主束缚激子及其双电子跃迁物理性质具有重要价值。

本发明授权一种半导体材料中施主束缚激子双电子跃迁速率的测量方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体材料中施主束缚激子双电子跃迁速率的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：利用变温稳态光致发光光谱测量半导体材料在不同温度下的稳态光致发光光谱曲线，并提取各温度下施主束缚激子峰的积分强度以及该施主束缚激子对应的双电子跃迁峰的积分强度；步骤二：利用变温时间分辨光致发光光谱测量半导体材料在不同温度下施主束缚激子峰峰位处的单色衰减曲线，并提取各温度下施主束缚激子峰的寿命；步骤三：由步骤一获得的施主束缚激子峰的积分强度推得施主束缚激子峰的量子效率，再由施主束缚激子峰的量子效率和步骤二获得的施主束缚激子峰寿命推得各温度下施主束缚激子的辐射复合寿命；步骤四：由步骤一获得的各温度下施主束缚激子峰的积分强度、该施主束缚激子对应的双电子跃迁峰的积分强度以及步骤三获得的各温度下施主束缚激子的辐射复合寿命,根据式9计算得到各温度下施主束缚激子的双电子跃迁速率： 9。

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