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龙图腾网恭喜西安电子科技大学广州研究院申请的专利隧穿栅HEMT器件、制备方法、芯片以及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300401B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411795296.0，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权隧穿栅HEMT器件、制备方法、芯片以及电子设备是由李祥东;韩占飞;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本隧穿栅HEMT器件、制备方法、芯片以及电子设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种隧穿栅HEMT器件、制备方法、芯片以及电子设备，该器件结构包括：衬底层，依次位于所述衬底层上的过渡层、缓冲层、沟道层和势垒层；p‑GaN层，位于势垒层上；隔离结构，位于所述HEMT器件的侧壁，其中，所述隔离结构贯穿于所述势垒层和所述沟道层，且位于所述缓冲层上；钝化层，位于所述p‑GaN层的侧壁且在所述势垒层上；隧穿层，位于所述钝化层的栅极开孔区域的底部和侧部；栅极，贯穿于所述钝化层，且位于所述隧穿层上；源极和漏极，分别位于所述p‑GaN层的不同侧，其中，源极和漏极分别贯穿于所述钝化层，且位于所述势垒层上。相对于相关技术而言，本申请通过在栅极开槽内部沉积一层薄介质作为隧穿层，有效提高HEMT器件栅极击穿电压。

本发明授权隧穿栅HEMT器件、制备方法、芯片以及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种隧穿栅HEMT器件，其特征在于，包括：衬底层，依次位于所述衬底层上的过渡层、缓冲层、沟道层和势垒层；p-GaN层，位于所述势垒层上；隔离结构，位于所述HEMT器件的侧壁，其中，所述隔离结构贯穿于所述势垒层和所述沟道层，且位于所述缓冲层上；钝化层，位于所述p-GaN层的侧壁且在所述势垒层上，其中，所述钝化层的厚度范围为50nm-400nm，所述钝化层包括：第一钝化子层和第二钝化子层，所述第一钝化子层位于所述第二钝化子层的下方，所述第一钝化子层材料包括：AlN、SiON、SiN、AlON、Al2O3、HfO2、ZrO2和Y2O3中的至少一种，所述第二钝化子层材料包括：SiO2、SiN和SiON中的至少一种；隧穿层，位于所述钝化层的栅极开孔区域的底部和侧部，其中，所述隧穿层的厚度范围为0.5nm-5nm，所述隧穿层的材料包括：SiN、SiON、AlN、AlON和Al2O3中的至少一种；栅极，贯穿于所述钝化层，且位于所述隧穿层上；源极，位于所述p-GaN层的一侧，其中，所述源极贯穿于所述钝化层，且位于所述势垒层上；漏极，位于所述p-GaN层的另一侧，其中，所述漏极贯穿于所述钝化层，且位于所述势垒层上。

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