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龙图腾网恭喜长春长光圆辰微电子技术有限公司申请的专利一种TMBS器件的制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300443B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411783072.8，技术领域涉及：H10D62/80；该发明授权一种TMBS器件的制备工艺是由蔡雨杉;李闯;李晓望;马浩博设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种TMBS器件的制备工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体领域，具体涉及一种TMBS器件的制备工艺，包括以下步骤：步骤1，将硅基片依次经过切割、抛光、清洗和干燥后，作为衬底材料使用；步骤2，在衬底材料的上表面形成外延层；步骤3，通过刻蚀的方式处理外延层形成沟槽，沟槽的内表面形成氧化层，再多晶硅填充；步骤4，设置肖特基势垒层，设置金属电极，通过金属电极引出正负极，即完成TMBS器件的制备。本发明所制备的器件以硒化锗铋作为外延层，很好的改善了器件的击穿特性与漏电流的不稳定因素，提升了耐击穿性和降低了漏电流密度，从而提高了器件的可靠性。

本发明授权一种TMBS器件的制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种TMBS器件的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，将硅基片依次经过切割、抛光、清洗和干燥后，作为衬底材料使用；步骤2，在衬底材料的上表面形成外延层，其中，外延层的材质为硒化锗铋，是通过化学气相沉积法的方式生长于衬底材料上表面；步骤3，通过刻蚀的方式处理外延层，形成阵列排列的U型沟槽，之后先在沟槽的内表面形成氧化层，再使用多晶硅将沟槽完全填充；步骤4，将外延层的上表面除去沟槽的部分设置肖特基势垒层，然后在肖特基势垒层和衬底材料的下表面分别设置金属电极，通过金属电极引出正负极，即完成TMBS器件的制备；所述步骤2中，外延层的制备过程包括：S1、先将四甲基锗、三甲基铋以及二甲基硒混合在容器内，通入氢气作为保护气，升温至全部气化后，得到混合气体；S2、把衬底材料放置于沉积设备的反应室内，抽真空后通入氢气，保持压力为150-250mbar，然后升温至250-350℃，逐渐通入混合气体，然后升温至550-650℃，并控制压力为450-550mbar；S3、恒温恒压处理直至衬底材料表面沉积厚度达到5-15μm后，停止通气，并缓慢降温降压至常温常压，完成硒化锗铋的沉积；所述S1中，四甲基锗、三甲基铋、二甲基硒和氢气的质量比例为0.7-1.4:1.2-2.4:3-8:10-20。

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