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龙图腾网恭喜湖南三安半导体有限责任公司申请的专利功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119181727B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411704684.3，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权功率器件是由刘杰;蔡文必;林志东;郭元旭;李立均设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率器件在说明书摘要公布了：本申请提供的功率器件，在边缘终端区内，半导体外延片包括沿底部到顶部方向交替层叠设置的多个第一外延层以及多个第二外延层；第二外延层包括第一掺杂区和第二掺杂区；第一掺杂区环绕有源区一周形成第一环状结构；第一外延层和第一掺杂区为第一导电类型，第二掺杂区为第二导电类型；以此，在器件反偏，可增大器件在反偏时承受的耐压。且进一步设置相邻两个第二外延层中的第一掺杂区在衬底上的投影不完全重叠，能够增加电流路径长度，从而进一步地增加器件在反偏时外延层承受的耐压。以此，在器件耐压相同的情况下，本申请提供的功率器件，能够减小边缘终端区的尺寸，减少芯片面积的浪费。

本发明授权功率器件在权利要求书中公布了：1.一种功率器件，其特征在于，包括：衬底；半导体外延片，设置于所述衬底上；所述半导体外延片包括有源区和围绕所述有源区外的边缘终端区；在所述有源区内，所述半导体外延片内具有间隔设置的若干半导体元胞，若干所述半导体元胞均从所述半导体外延片远离所述衬底的表面朝向所述衬底的方向延伸，所述半导体元胞包括相接的阱区、阱区接触区以及源区；其中，定义所述衬底一侧为底部，所述半导体元胞一侧为顶部；在所述边缘终端区内，所述半导体外延片包括沿所述底部到所述顶部方向交替层叠设置的多个第一外延层以及多个第二外延层；所述第二外延层包括第一掺杂区和第二掺杂区；所述第一掺杂区环绕所述有源区一周形成第一环状结构；所述第一外延层和所述第一掺杂区为第一导电类型，所述第二掺杂区为第二导电类型；相邻两个所述第二外延层中的所述第一掺杂区在所述衬底上的投影不完全重叠。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南三安半导体有限责任公司，其通讯地址为：410217 湖南省长沙市高新开发区长兴路399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。