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龙图腾网恭喜浙江创芯集成电路有限公司申请的专利一种背照式工艺流程的优化方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208344B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411689039.9，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权一种背照式工艺流程的优化方法及半导体器件是由张言彩设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背照式工艺流程的优化方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体工艺技术领域，公开了一种背照式工艺流程的优化方法及半导体器件，其中，所述方法包括在二氧化硅层的表面刻蚀出与光电子吸收带相匹配的铝带，并增加二氧化硅层的厚度，以使得铝带包裹于增加厚度后的二氧化硅层中；依次刻蚀增加厚度后的二氧化硅层、金属薄膜层以及硅衬底，以在半导体组件中形成直通金属布线层的沟槽；刻蚀沟槽的底部和增加厚度后的二氧化硅层的指定位置，以在沟槽的底部形成连接铜膜的开孔，以及在指定位置处形成接地通孔；针对开孔和接地通孔刻蚀铝膜，生成与铜膜相接触的金属垫片和与接地通孔相匹配的接地连线。本申请提供的技术方案，能够简化半导体器件背照式刻蚀的工艺流程，降低制备时间和生产成本。

本发明授权一种背照式工艺流程的优化方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种背照式工艺流程的优化方法，其特征在于，所述方法应用于根据背照式工艺流程制备的半导体组件中，所述半导体组件包括自上而下分布的二氧化硅层、金属薄膜层、硅衬底以及金属布线层，所述硅衬底中包含光电子吸收带，所述金属布线层中包含待开孔的铜膜，所述方法包括：在所述二氧化硅层的表面刻蚀出与所述光电子吸收带相匹配的铝带，并增加所述二氧化硅层的厚度，以使得所述铝带包裹于增加厚度后的二氧化硅层中；依次刻蚀所述增加厚度后的二氧化硅层、所述金属薄膜层以及所述硅衬底，以在所述半导体组件中形成直通所述金属布线层的沟槽；同时刻蚀所述沟槽的底部和所述增加厚度后的二氧化硅层的指定位置，以在所述沟槽的底部形成连接所述铜膜的开孔，以及在所述指定位置处形成接地通孔，其中，所述接地通孔贯穿所述增加厚度后的二氧化硅层和所述金属薄膜层，并进入所述硅衬底；针对所述开孔和所述接地通孔刻蚀铝膜，生成与所述铜膜相接触的金属垫片，以及生成与所述接地通孔相匹配的接地连线；其中，在所述二氧化硅层的表面刻蚀出与所述光电子吸收带相匹配的铝带包括：在所述二氧化硅层的表面淀积铝膜，并在淀积后的铝膜上确定与所述光电子吸收带相匹配的目标位置；在所述目标位置处喷涂光刻胶，对喷涂了光刻胶的铝膜进行刻蚀，并在完成刻蚀后清洗光刻胶，得到在所述二氧化硅层的表面生成的与所述光电子吸收带相匹配的铝带。

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