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龙图腾网恭喜华南理工大学申请的专利一种提高氧化钇涂层耐刻蚀性能的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119082684B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411206382.3，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种提高氧化钇涂层耐刻蚀性能的制备方法是由肖舒;吴熠;刘建诚;江赛华设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高氧化钇涂层耐刻蚀性能的制备方法在说明书摘要公布了：一种提高氧化钇涂层耐刻蚀性能的制备方法，包括以下步骤：在将超声波清洗后的高纯烧结氧化铝基体送入镀膜工艺腔室之后，对镀膜工艺腔室进行抽真空以达到预设真空度；通过第一气体离子源向镀膜工艺腔室内通入氩气，进行离化后释放氩等离子体，以对高纯烧结氧化铝基体进行等离子体清洗；采用磁控溅射方式在等离子体清洗后的高纯烧结氧化铝基体表面沉积氧化钇涂层，同时通过第二气体离子源向镀膜工艺腔室内通入氧气，进行离化后释放氧等离子体，以在氧化钇涂层中形成氧空位。本发明中，通过采用氧等离子体参与氧化钇涂层的沉积过程，以在氧化钇涂层中形成氧空位，从而提高氧化钇涂层的耐物理刻蚀性能。

本发明授权一种提高氧化钇涂层耐刻蚀性能的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种提高氧化钇涂层耐刻蚀性能的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S10，在将超声波清洗后的高纯烧结氧化铝基体送入镀膜工艺腔室之后，对镀膜工艺腔室进行抽真空以达到预设真空度；步骤S11，通过第一气体离子源向镀膜工艺腔室内通入氩气，进行离化后释放氩等离子体，以对高纯烧结氧化铝基体进行等离子体清洗，其中，第一气体离子源为线性阳极离子源，电压范围为500~800V，轰击时间为10~30min；步骤S12，采用磁控溅射方式在等离子体清洗后的高纯烧结氧化铝基体表面沉积氧化钇涂层，同时通过第二气体离子源向镀膜工艺腔室内通入氧气，进行离化后释放氧等离子体，以在氧化钇涂层中形成氧空位，其中，磁控溅射所用电源为脉冲直流电源，频率范围为20~40kHz，占空比为30~80%，溅射电压范围为400~600V，第二气体离子源为线性阳极离子源，采用恒压模式对电压进行调控，电压范围为500~1000V，工作时间与沉积时间相同。

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