买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜中国科学院半导体研究所;中科镓(深圳)半导体科技有限公司申请的专利氮化镓单晶片制备过程应力调控结构、制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118792738B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411114493.1，技术领域涉及：C30B29/38；该发明授权氮化镓单晶片制备过程应力调控结构、制备方法和应用是由杨少延;李成明;陈庆庆;刘祥林;杨瑞;王奕程;张文冠;胡阿龙设计研发完成，并于2024-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本氮化镓单晶片制备过程应力调控结构、制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供了氮化镓单晶片制备过程应力调控结构，可应用于半导体技术领域。包括：蓝宝石单晶衬底；第一目标氮化铝单晶薄膜模板层，位于衬底上；多孔氮化铝应力协变区，位于第一目标氮化铝单晶薄膜模板层远离衬底的一侧；第二目标氮化铝单晶薄膜模板层，位于多孔氮化铝应力协变区远离衬底的一侧；以及氮化镓单晶薄膜模板层，位于第二目标氮化铝单晶薄膜模板层远离衬底的一侧，其中，多孔氮化铝应力协变区包括第一多孔氮化铝应力协变层、第二多孔氮化铝应力协变层、第三多孔氮化铝应力协变层、第四多孔氮化铝应力协变层和第五多孔氮化铝应力协变层且各协变层的钠米孔隙度不完全相同。本发明的实施例还提供了一种氮化镓单晶片的制备方法及其应用。

本发明授权氮化镓单晶片制备过程应力调控结构、制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓单晶片制备过程应力调控结构，其特征在于，包括：蓝宝石单晶衬底；第一目标氮化铝单晶薄膜模板层，位于所述蓝宝石单晶衬底上；多孔氮化铝应力协变区，位于所述第一目标氮化铝单晶薄膜模板层远离所述蓝宝石单晶衬底的一侧；第二目标氮化铝单晶薄膜模板层，位于所述多孔氮化铝应力协变区远离所述蓝宝石单晶衬底的一侧；以及氮化镓单晶薄膜模板层，位于所述第二目标氮化铝单晶薄膜模板层远离所述蓝宝石单晶衬底的一侧，其中，所述多孔氮化铝应力协变区包括依次设置的第一多孔氮化铝应力协变层、第二多孔氮化铝应力协变层、第三多孔氮化铝应力协变层、第四多孔氮化铝应力协变层和第五多孔氮化铝应力协变层且各多孔氮化铝应力协变层的纳米孔隙度不完全相同,所述第一多孔氮化铝应力协变层的纳米孔隙度为10%-30%；所述第二多孔氮化铝应力协变层的纳米孔隙度为30%-50%；所述第三多孔氮化铝应力协变层的纳米孔隙度为50%-70%；所述第四多孔氮化铝应力协变层的纳米孔隙度为30%-50%；以及所述第五多孔氮化铝应力协变层的纳米孔隙度为10%-30%。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院半导体研究所;中科镓(深圳)半导体科技有限公司，其通讯地址为：100083 北京市海淀区清华东路甲35号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。