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龙图腾网恭喜重庆邮电大学申请的专利一种大尺寸层状GeSb₄Te₇单晶及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118996632B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411115126.3，技术领域涉及：C30B29/52；该发明授权一种大尺寸层状GeSb₄Te₇单晶及其制备方法是由陈鹏;吴宏;闫艳慈;李登峰;刘俊;丁光前设计研发完成，并于2024-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大尺寸层状GeSb₄Te₇单晶及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于材料制备技术领域，具体涉及一种大尺寸层状GeSb4Te7单晶及其制备方法。本发明方法包括1称量原料Ge颗粒、Sb颗粒和Te颗粒；2将原料颗粒置于石英坩埚并抽真空；3将石英坩埚固定于立式炉的炉膛的温度梯度区，进行程序控温，获得单晶锭体；4将装单晶锭体的石英坩埚的位置调节到所述立式炉热电偶位置的上下各3cm区域范围内退火处理，随后得到所述大尺寸层状GeSb4Te7单晶。

本发明授权一种大尺寸层状GeSb₄Te₇单晶及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种大尺寸层状GeSb4Te7单晶的制备方法，其特征在于，所述制备方法为降温法，具体步骤如下：S01：称量原料Ge颗粒、Sb颗粒和Te颗粒，所述Ge颗粒、Sb颗粒和Te颗粒的摩尔比为19~21：77~83：137~143，将称量好的原料颗粒混合均匀；S02：将混合均匀的所述原料颗粒置于石英坩埚中，并对所述石英坩埚进行抽真空封装；S03：将封装后的所述石英坩埚固定于立式炉的炉膛的温度梯度区，此时所述石英坩埚尖端距离炉膛最下端得到距离为6-12cm，设置所述立式炉的控温程序，使温度以0.5-1.5℃min的速率升温至900-1050℃，使所述石英坩埚中的原料处于熔融状态，并保持3-20h；S04：调节所述立式炉的控温程序，使温度以0.5-5℃min的速率降至700-850℃；S05：进一步调节所述立式炉的控温程序，使温度以0.5-2℃h的速率降至500-600℃，使所述石英坩埚中处于熔融状态的材料完成析晶，获得单晶锭体；S06：将装载所述单晶锭体的石英坩埚的位置调节到所述立式炉热电偶位置的上下各3cm区域范围内，退火处理；所述退火处理为在300-500℃下退火4-8h；S07：控制所述立式炉的温度自动降温至常温，获得所述大尺寸层状GeSb4Te7单晶。

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