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龙图腾网恭喜大连皓宇电子科技有限公司申请的专利一种半导体设备加热盘上升温度速率控制的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118939030B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410998491.7，技术领域涉及：G05D23/20；该发明授权一种半导体设备加热盘上升温度速率控制的方法是由史常龙;徐家庆;唐丽娜设计研发完成，并于2024-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体设备加热盘上升温度速率控制的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体设备加热盘上升温度速率控制的方法，通过将完整加热过程分为多个加热的子过程，通过获取每个加热子过程的实际温度曲线，得到完整的实际温度曲线，进而根据期望温度曲线，获取期望温度曲线上的趋势变化点，当趋势变化点的数量大于TST个时，确定PID控制器的调节区间，并在每个PID控制器的调节区间内对PID控制参数进行调节，并根据最后的调整后的PID控制器加热盘的当前温度以及加热目标温度，对半导体加热盘进行加热，以实现对半导体设备加热盘的上升温度速率的控制。本发明通过引入多组PID参数在不同的温度条件下进行切换来控制加热速率，能够明显的提高加热期望曲线和加热实际曲线的拟合度。

本发明授权一种半导体设备加热盘上升温度速率控制的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体设备加热盘上升温度速率控制的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：根据半导体设备加热盘上升温度的期望速率，获取对半导体设备加热盘进行加热的加热子过程的总数；S2：根据加热子过程的总数，第1个加热子过程的起始温度即加热盘的当前温度，基于加热子过程目标温度计算公式，获取第1个加热子过程的目标温度；S3：根据基于初始PID控制参数的初始的PID控制器，根据第1个加热子过程的起始温度、加热子过程的执行时间和第1个加热子过程的目标温度，获取加热盘在第1个加热子过程结束时的实际温度以及第1个加热子过程的实际温度曲线；其中，加热盘在第1个加热子过程结束时的实际温度即为加热盘在第2个加热子过程的起始温度；S4：基于加热盘在第ns-1个加热子过程结束时的实际温度，即加热盘在第ns个加热子过程的起始温度，重复执行S2-S3，获取第ns个加热子过程结束时的目标温度；以获取加热盘在第ns个加热子过程结束时的实际温度以及第ns个加热子过程的实际温度曲线；直至获取加热盘在第NS-1个加热子过程结束时的实际温度以及第NS-1个加热子过程的实际温度曲线；其中，ns表示加热子过程的索引编号，ns＝1,…,NS；NS表示加热子过程的总数；S5：根据基于初始PID控制参数的初始的PID控制器、第NS个加热子过程的起始温度、加热子过程的执行时间和半导体设备加热盘的加热目标温度，获取加热盘在第NS个加热子过程结束时的实际温度以及第NS个加热子过程的实际温度曲线；S6：根据第1个加热子过程的实际温度曲线,…,第ns个加热子过程的实际温度曲线,…,第NS-1个加热子过程的实际温度曲线，第NS个加热子过程的实际温度曲线，获取完整的实际温度曲线；S7：根据所述完整的实际温度曲线和对半导体设备加热盘加热的期望温度曲线，获取期望温度曲线上的趋势变化点；获取期望温度曲线上的的趋势变化点方法如下：S71：沿着时间增加的方向，根据设定的采样周期进行采样，分别在完整的实际温度曲线和期望温度曲线上进行采样，获取第i个采样点对应的完整的实际温度曲线上的实际温度Si和期望温度曲线上的期望温度Qi；以获取第i个采样点的温度差值Xi；S72：若第i个采样点的温度差值Xi小于设定的阈值，则沿着时间增加的方向，依次将温度差值Xi小于设定的阈值的第i个采样点对应的期望温度曲线上的点，标记为POINTe_1,POINTe_2,…,POINTe_p-1,POINTe_p，…；p表示温度差值Xi小于设定的阈值的第i个采样点对应的期望温度曲线上的点的索引编号；POINTe_p表示期望温度曲线上的第p个温度差值Xi小于设定的阈值的点；否则若第i个采样点的温度差值Xi不小于设定的阈值，则沿着时间增加的方向，依次将温度差值Xi不小于设定的阈值的第i个采样点对应的期望温度曲线上的点，标记为POINTn_1,POINTn_2,…,POINTn_q，…；q表示温度差值Xi不小于设定的阈值的第i个采样点对应的期望温度曲线上的点的索引编号；POINTn_q表示期望温度曲线上的第q个温度差值Xi不小于设定的阈值的点；S73：若在期望温度曲线上的第p-1个温度差值Xi小于设定的阈值的点POINTe_p-1,与期望温度曲线上的第p个温度差值Xi小于设定的阈值的点POINTe_p之间，存在期望温度曲线上的第q个温度差值Xi不小于设定的阈值的点的数量大于TST个，则将期望温度曲线上的第p-1个温度差值Xi小于设定的阈值的点POINTe_p-1和期望温度曲线上的第p个温度差值Xi小于设定的阈值的点POINTe_p，均确定为趋势变化点；其中，TS表示加热子过程的执行时间；T表示设定的采样周期；S8：当所述趋势变化点的数量大于TST个时，将相邻的两个趋势变化点之间确定为PID控制器的调节区间；并基于所述PID控制器的调节区间，对PID控制器参数进行调节，获取所述PID控制器的调节区间的调整后的PID控制器参数；执行S9；所述PID控制参数包括积分增益，微分增益，比例增益；否则，当所述趋势变化点的数量不大于TST个时，将此时的PID控制器参数作为最后的PID控制器参数，执行S10；其中，TS表示加热子过程的执行时间，T表示采样周期；S9：基于所述PID控制器的调节区间的调整后的PID控制器参数，重复执行S3-S8，直至趋势变化点的数量不大于TST个，将此时的PID控制器的调节区间的调整后的PID控制器参数，作为最后的PID控制器参数；获取所述PID控制器的调节区间的调整后的PID控制器参数的方法如下：S801：将初始的积分增益和微分增益设为零；并初始化比例增益；S802：将初始化的比例增益按照设定的步长增加，获取调整后的比例增益，以获取基于调整后的比例增益以及初始的积分增益和微分增益的调整后的PID控制器；S803：根据PID控制器的调节区间的起始时间的实际温度，PID控制器的调节区间的终止时间的目标温度、调整后的PID控制器，获取调整后的PID控制器输出的实际温度；S804：当调整后的PID控制器输出的实际温度与期望温度之间的差值满足稳定振荡条件时，将此时的调整后的比例增益记为临界比例增益Kpu；执行S805；否则，基于调整后的比例增益，重复执行S802-S803；S805：根据所述临界比例增益Kpu，获取调整后的PID控制参数；S10：根据最后的PID控制器参数，获取最后的PID控制器，以根据所述最后的PID控制器、加热盘的当前温度以及加热目标温度，对半导体加热盘进行加热，以实现对半导体设备加热盘的上升温度速率的控制。

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