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龙图腾网恭喜北京智芯微电子科技有限公司申请的专利隔离电容器件及其制备方法、多通道隔离芯片以及晶圆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118475231B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410935595.3，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权隔离电容器件及其制备方法、多通道隔离芯片以及晶圆是由郁文;吴波;邓永峰;李君建;刘芳;陈燕宁;张俊江;曹永万;陆珊珊;罗宗兰设计研发完成，并于2024-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本隔离电容器件及其制备方法、多通道隔离芯片以及晶圆在说明书摘要公布了：本申请提供一种隔离电容器件及其制备方法、多通道隔离芯片以及晶圆，属于半导体集成电路技术领域。所述器件包括衬底，以及第一金属层，设置于所述衬底上；介质层，设置于所述第一金属层远离所述衬底的一侧；第二金属层，设置于所述介质层远离所述第一金属层的一侧；且所述第二金属层的中心在衬底上的正投影与第一金属层的中心在衬底上的正投影重合，所述第二金属层的电位高于所述第一金属层的电位；至少两个器件金属环组，所述至少两个器件金属环组在衬底上的正投影与第一金属层之间的间距沿第一金属层到第二金属层方向递增，所述器件金属环组通过金属通孔连接后接地，以形成法拉第笼隔离屏蔽所述隔离电容器件受到的外部干扰。

本发明授权隔离电容器件及其制备方法、多通道隔离芯片以及晶圆在权利要求书中公布了：1.一种隔离电容器件，包括衬底，其特征在于，所述隔离电容器件还包括：第一金属层，设置于所述衬底上；介质层，设置于所述第一金属层远离所述衬底的一侧；第二金属层，设置于所述介质层远离所述第一金属层的一侧；且所述第二金属层的中心在衬底上的正投影与第一金属层的中心在衬底上的正投影重合，所述第二金属层的电位高于所述第一金属层的电位；至少两个器件金属环组，所述至少两个器件金属环组在衬底上的正投影与第一金属层之间的间距沿第一金属层到第二金属层方向递增，所述器件金属环组通过金属通孔连接后接地，以形成法拉第笼隔离屏蔽所述隔离电容器件受到的外部干扰；所述器件金属环组包括至少一个金属环，同一金属环组中的金属环为同心环，且通过金属线连接；所述器件金属环组中的金属环数量沿第一金属层到第二金属层方向逐个器件金属环组递增；所述第一金属层和第二金属层在衬底上的正投影为圆形或圆角矩形；所述隔离电容器件还包括：缓冲层，设置于介质层与第二金属层之间；所述缓冲层的材料为氮化硅或氮氧化硅；所述第一金属层与第二金属层之间具有第一间距；设置于第二金属层外围的器件金属环组与所述第二金属层之间具有第二间距，所述第二间距大于或等于第一间距。

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