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龙图腾网获悉北京士模微电子有限责任公司申请的专利能够抵消电介质吸收效应的采样电路及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118868929B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410925730.6，技术领域涉及：H03M1/06；该发明授权能够抵消电介质吸收效应的采样电路及装置是由谷宪;张帆设计研发完成，并于2024-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本能够抵消电介质吸收效应的采样电路及装置在说明书摘要公布了：本公开涉及一种能够抵消电介质吸收效应的采样电路及装置。电路包括两个含有多个采样单元的采样保持电路和开关控制模块，采样单元包括第一电容和第二电容，至少部分采样单元的目标容值比相同；开关控制模块在采样阶段控制第一采样保持电路内各电容的底板接入VIP，控制第二采样保持电路内各电容底板接入VIN，控制各第一电容顶板接VDD、各第二电容顶板接地；在转换阶段控制采样保持电路中电容与VIP、VIN断开，并控制第一采样保持电路中电容顶板、第二采样保持电路中电容顶板分别与比较器的正、负输入端之间的连接导通。可抵消电介质吸收效应带来的影响，结构简单，有效改善ADC长时间采样后THD以及DNLINL恶化的现象。

本发明授权能够抵消电介质吸收效应的采样电路及装置在权利要求书中公布了：1.一种能够抵消电介质吸收效应的采样电路，其特征在于，所述电路包括两个采样保持电路和开关控制模块，各所述采样保持电路包括多个采样单元，各所述采样单元包括第一电容和第二电容，多个采样单元中至少部分采样单元所对应的目标容值比相同，各所述采样单元的目标容值比为该采样单元中第一电容和第二电容的电容值之比；相邻位的两个所述采样单元中高位采样单元的电容总值是低位采样单元的电容总值的预设倍数，各所述采样单元的电容总值为该采样单元中所述第一电容和所述第二电容的电容值之和；所述开关控制模块，用于在采样阶段控制所述采样保持电路中第一采样保持电路内的各第一电容的底板、各第二电容的底板与差分信号对的正输入信号的第一输入端之间的连接导通，以及在采样阶段控制所述采样保持电路中第二采样保持电路内的各第一电容的底板、各第二电容的底板与所述差分信号对的负输入信号的第二输入端之间的连接导通，并控制各所述第一电容的顶板连接到电源电压以及控制各所述第二电容的顶板接地；以及在转换阶段控制所述第一采样保持电路中各第一电容的底板、各第二电容的底板与所述第一输入端之间的连接断开，以及在转换阶段控制所述第二采样保持电路中各第一电容的底板、各第二电容的底板与所述第二输入端之间的连接断开，并控制所述第一采样保持电路中各第一电容的顶板、各第二电容的顶板与比较器的正输入端之间的连接导通以及控制所述第二采样保持电路中各第一电容的顶板、各第二电容的顶板与所述比较器的负输入端之间的连接导通；其中，所述开关控制模块包括第一开关单元、第二开关单元，所述第一开关单元连接到电源电压与各所述第一电容的顶板之间，用于在采样阶段控制各所述第一电容的顶板连接到电源电压、以及在转换阶段各所述第一电容的顶板与所述电源电压之间的连接断开；各所述第二电容的顶板通过所述第二开关单元接地，所述第二开关单元用于在采样阶段导通以使各所述第二电容的顶板接地、在转换阶段断开以使各所述第二电容的顶板与地之间断开。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京士模微电子有限责任公司，其通讯地址为：100083 北京市海淀区学清路10号院1号楼9层101；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。