恭喜云南驰宏国际锗业有限公司钱海东获国家专利权
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龙图腾网恭喜云南驰宏国际锗业有限公司申请的专利一种锗基底7-14μm波段DLC/AR红外锗窗口片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118363094B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410266771.9，技术领域涉及：G02B1/10；该发明授权一种锗基底7-14μm波段DLC/AR红外锗窗口片及其制备方法是由钱海东;聂文斌;杨康;陈琳;陈建红;李俊仪;子光平;陈梦凡;缪彦美;何婷设计研发完成，并于2024-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种锗基底7-14μm波段DLC/AR红外锗窗口片及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种锗基底7‑14μm波段DLCAR红外锗窗口片及其制备方法，属于光学材料领域，本申请以单晶锗片为基底，基底的正反面分别镀有正面DLC膜，反面AR膜膜系结构；反面AR膜膜系结构以一面镀好DLC膜的锗片为基底由内至外依次镀制第一层ZnS膜层、第一层Ge膜层、第一层ZnSe膜层、第二层Ge膜层、第二层ZnSe层、第一层YbF3层、第二层ZnS层；本申请制备方法制备得到的红外锗窗口片制作工艺简单，张应力小，膜不容易脱落，在保证透过率≥89％的同时，提高锗窗口片在恶劣环境中的耐用性，有效提高了锗窗口片表面的耐摩擦性能、耐腐蚀性能、耐高温性能和表面硬度，该锗窗口片能通过膜强度环境测试，适合工业生产。
本发明授权一种锗基底7-14μm波段DLC/AR红外锗窗口片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种锗基底7-14μm波段DLCAR红外锗窗口片，其特征在于，以单晶锗片为基底，基底的正面镀有DLC膜，反面镀有AR膜；AR膜膜系结构为：单晶锗基底0.116H3.091M0.296L0.976M0.699L0.689I0.674H空气；式中，H表示一个λ04光学厚度的ZnS膜层；M表示一个λ04光学厚度的Ge膜层；L表示一个λ04光学厚度的ZnSe膜层；I表示一个λ04光学厚度的YbF3膜层；λ0为中心波长；H、M、L和I前的数字均为膜层的厚度比例系数。
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