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龙图腾网恭喜南京中鲲仪器科技有限公司申请的专利一种TCD恒温型驱动电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222719824U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202323648132.9，技术领域涉及：G05D23/24；该实用新型一种TCD恒温型驱动电路是由牛运晨;赵玲宝;谢兆明;顾潮春设计研发完成，并于2023-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种TCD恒温型驱动电路在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种TCD恒温型驱动电路，涉及电子技术领域，包括：驱动Q1和负载，驱动Q1为N型MOSFET,采用高端驱动，N型MOSFET一端接电源VCC，另一端和负载相连，由负载接到GND地，负载由电阻R1、电阻R2、电阻R3和开关K1组成，电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8的阻值远远比电阻R1、电阻R2、电阻R3大，主要是电阻R1、电阻R2、电阻R3和开关K1组成的负载，其中电阻R3为TCD检测器的热阻丝，该热阻丝和温度正相关，正常情况下，没有控制信号的时候，MOSFET不导通，负载中没有电流流过，即负载处于断电状态；反之如果控制信号有效的时候，打开MOSFET，于是电流从电源正端经过高端的MOSFET，然后经过负载流出，负载进入通电状态，从而产生响应的动作。

本实用新型一种TCD恒温型驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种TCD恒温型驱动电路，所述电路基于导热体与气体的热导性差异对样品中气体成分的分析，本质是控制热阻丝恒定阻值，包括：驱动Q1和负载，驱动Q1为N型MOSFET,采用高端驱动，N型MOSFET一端接电源VCC，另一端和负载相连，由负载接到GND地，负载由电阻R1、电阻R2、电阻R3和开关K1组成，电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8的阻值远远比电阻R1、电阻R2、电阻R3大，主要是电阻R1、电阻R2、电阻R3和开关K1组成的负载，其中电阻R3为TCD检测器的热阻丝，该热阻丝和温度正相关，正常情况下，没有控制信号的时候，MOSFET不导通，负载中没有电流流过，即负载处于断电状态；反之如果控制信号有效的时候，打开MOSFET，于是电流从电源正端经过高端的MOSFET，然后经过负载流出，负载进入通电状态，从而产生响应的动作。

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