恭喜亿信科技发展有限公司卢增祥获国家专利权
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龙图腾网恭喜亿信科技发展有限公司申请的专利LED结构及其制备方法、光场显示系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114824043B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210433738.1，技术领域涉及：H10H29/855；该发明授权LED结构及其制备方法、光场显示系统是由卢增祥设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本LED结构及其制备方法、光场显示系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种LED结构及其制备方法、光场显示系统。所述LED结构包括：衬底；设置于所述衬底上的多个LED芯片，每个所述LED芯片包括依次层叠于所述衬底上的第一掺杂半导体层、有源层和第二掺杂半导体层；任意相邻两个LED芯片的第一掺杂半导体层之间设置有隔离槽，所述隔离槽用于隔离相邻的两个LED芯片对应的第一掺杂半导体层；每个隔离槽内设置有挡光结构，所述挡光结构用于阻断相邻的两个LED芯片对应的第一掺杂半导体层之间的光通路。本发明能够减弱LED芯片之间的光串扰。
本发明授权LED结构及其制备方法、光场显示系统在权利要求书中公布了：1.一种LED结构，其特征在于，所述LED结构包括：衬底；设置于所述衬底上的多个LED芯片，每个所述LED芯片包括依次层叠于所述衬底上的第一掺杂半导体层、有源层和第二掺杂半导体层；任意相邻两个LED芯片的第一掺杂半导体层之间设置有隔离槽，所述隔离槽用于隔离相邻的两个LED芯片对应的第一掺杂半导体层；每个隔离槽内设置有挡光结构，所述挡光结构用于阻断相邻的两个LED芯片对应的第一掺杂半导体层之间的光通路；所述LED芯片还包括设置于所述第二掺杂半导体层远离所述有源层一侧的第一电极；所述挡光结构为导电结构，所述挡光结构与相邻的所述第一掺杂半导体层接触；所述挡光结构复用为所述LED芯片的第二电极。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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