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龙图腾网恭喜南通大学申请的专利一种散热型常闭型异质结场效应晶体管及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113964198B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111227322.6，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种散热型常闭型异质结场效应晶体管及制造方法是由王奕锦;余晨辉;俞彦伟;陈志鹏;何嘉诚;高子建;罗曼设计研发完成，并于2021-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种散热型常闭型异质结场效应晶体管及制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种散热型常闭型氮化镓异质结场效应晶体管结构及其制造方法，所述器件p‑GaNAlGaNGaNHFET包括异质结构与所述异质结构连接的源极、漏极、栅极和钝化层。本发明选择将氮化铝AlN作为新的钝化层材料，通过全氮化物半导体工艺，来替换传统器件中的氮化硅与氧化硅等钝化层。为避免AlN钝化层与势垒层表面产生的二维电子气影响器件的常闭状态，利用能带工程设计方法生长一层AlN，再通过间隔刻蚀钝化层保持器件的常闭状态。本发明所生长了AlN钝化层的常闭型p‑GaNAlGaNGaNHFET，在导通工作时能够使晶体管内的晶格温度分布均匀且峰值温度降低，提高了器件的散热性能。此外，通过使用全氮化物半导体工艺来实现制造p‑GaNAlGaNGaNHFET，不会影响器件制作工艺的复杂程度，降低了制作成本。

本发明授权一种散热型常闭型异质结场效应晶体管及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种散热型常闭型异质结场效应晶体管的制造方法，所述散热型常闭型异质结场效应晶体管包括钝化层及表面层，所述钝化层为通过能带工程设计生长的AlN钝化层，并且对AlN钝化层进行间隔式刻槽处理，刻蚀AlN钝化层和部分AlGaN势垒层，遏制AlN钝化层下表面二维电子气参与导电；所述散热型常闭型异质结场效应晶体管还包括衬底、成核层、弛豫1层、弛豫2层、缓冲层、沟道层及势垒层，其中，所述衬底、成核层、弛豫1层、弛豫2层、缓冲层、沟道层、势垒层及钝化层依次叠加设置；所述成核层为AlN成核层，所述弛豫1层及弛豫2层均为AlGaN弛豫层；制备的具体工艺为：S1：准备衬底；S2：在衬底上通过MOCVD依次生长AlN成核层、AlGaN弛豫1层、AlGaN弛豫2层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；S3：清洗样品；S4：外延生长p-GaN表面层；S5：通过能带工程设计，外延生长一层质量较低的AlN钝化层；a.使用MOCVD生长AlN钝化层；将样品放入MOCVD反应炉中，设置程序升温至600℃，在常压下向反应炉中通入一定量的TMAl、NH3反应前驱体，生成所需的AlN钝化层；其中TMAl和NH3是生长AlN钝化层的主要反应源，调整各自的流量调节生长速度和质量；b.使用ICP刻蚀技术刻蚀去除栅极区域的AlN钝化层；光刻机采用AZ1500，光刻、显影露出栅极区域后，用去离子水洗去黏附在器件表面的光刻胶和显影液，在90℃环境下烘干4min，用来坚固光刻胶；再使用ICP刻蚀机，以Cl2为主要刻蚀气体，Cl2、BCl3和Ar的体积流量分别为14、10和6cm2min、温度为10℃、ICP线圈功率为600W、腔压为4mTorr，刻蚀速率为40nmmin的条件下，刻蚀掉露出的AlN钝化层，之后去除光刻胶；S6：在p-GaN表面层上制作栅极，S7：光刻源极和漏极的图形；S8：间隔刻槽处理AlN钝化层S9：制作源极和漏极；S10：封装。

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