恭喜河南仕佳光子科技股份有限公司高志豪获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜河南仕佳光子科技股份有限公司申请的专利PLC晶圆上包层厚膜生长工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116013764B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111226501.8，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权PLC晶圆上包层厚膜生长工艺是由高志豪;胡炎彰;耿金帅;孙健;杨建周;苏晓华设计研发完成，并于2021-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本PLC晶圆上包层厚膜生长工艺在说明书摘要公布了：本发明提出了一种PLC晶圆上包层厚膜生长工艺，用以解决现有工艺生长的上包层厚度偏薄，不能满足实际性能需要的技术问题。本发明提出一种PLC晶圆上包层厚膜生长工艺，要求上包层连续进行至少四次生长和退火，上包层厚度满足要达到32μm以上的要求，且增加退火步骤和退火时间，与生长过程中调整掺杂硼烷和磷烷两种气体的流量的手段共同达到减小BOW值的目的，使得BOW值小于250μm；在不使用盖板对芯片进行保护的情况下，PLC晶圆的上包层对保护波导不受外力和杂质侵蚀的能力满足要求，在切割磨抛过程中保护芯层波导，减少因为崩口等原因引起良率的损失，且上包层厚度增加，使截面积变大，在后段的封装过程中，能够提高芯片与光纤阵列连接的效率。
本发明授权PLC晶圆上包层厚膜生长工艺在权利要求书中公布了：1.一种PLC晶圆上包层厚膜生长工艺，其特征在于，连续进行四次生长和退火，生成厚度为32~40μm的上包层；在第一次生长和第二次生长中气体配比为硼烷：磷烷=2~4：4~6；在第三次生长和第四次生长中气体配比为硼烷：磷烷=4~5：5~7；第一次退火和第二次退火的实施方法为：在退火炉中进行6~8小时的900~1000℃高温退火；第三次退火和第四次退火的实施方法为：在退火炉中进行8~10小时的1000~1050℃高温退火；在第三次退火和第四次退火中增加降温步骤和退火时间，实施方法为：退火温度降低80~100℃，稳定0.5~2小时；循环继续进行降温。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人河南仕佳光子科技股份有限公司，其通讯地址为：458030 河南省鹤壁市淇滨区国家经济技术开发区延河路201号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号