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龙图腾网恭喜上海艾为电子技术股份有限公司申请的专利一种无片外电容LDO电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115494901B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110674434.X，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种无片外电容LDO电路是由许欢;程涛设计研发完成，并于2021-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种无片外电容LDO电路在说明书摘要公布了：本申请公开了一种无片外电容低压差线性稳压器LDO电路，包括：稳压单元、第一NMOS管、PMOS管、第一电流支路、第二电流支路和电容。稳压单元的输出端用于输出稳定参考电压。第一NMOS管的栅极用于输入稳定参考电压，PMOS管的栅极和第一NMOS管的漏极相连。PMOS管的漏极和电容的一端相连，连接点为第二连接点。第二连接点的电压为LDO电路的输出稳定电压。第一电流支路包括至少一个上电流支路，第二电流支路包括至少一个下电流支路。上电流支路和下电流支路的数量相同。第一、二电流支路使得通过第一NMOS管的电流增加，而且负载增加时，通过PMOS管的电流增大。第一NMOS管和PMOS管的电流的提高使得环路带宽增大，摆率增强，提高了LDO电路负载瞬态响应能力。

本发明授权一种无片外电容LDO电路在权利要求书中公布了：1.一种无片外电容LDO电路，其特征在于，所述无片外电容LDO电路包括：稳压单元、第一NMOS管、PMOS管、第一电流支路、第二电流支路和片内电容；所述稳压单元的输出端用于输出稳定参考电压；所述第一NMOS管的栅极和所述稳压单元的输出端相连；所述第一NMOS管的栅极用于输入所述稳定参考电压；所述PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的漏极相连，连接点为第一连接点；所述PMOS管的漏极和电容的一端相连，连接点为第二连接点，所述第二连接点为所述无片外电容LDO电路的输出端；所述无片外电容LDO电路的输出端用于输出稳定电压；所述PMOS管的源极和电源相连；所述电容的另一端接地；所述第一电流支路包括目标数量个相互并联的上电流支路；各个所述上电流支路中均设置有开关；所述第一电流支路的一端和所述电源相连；所述第一电流支路的另一端和所述第一连接点相连；所述第二电流支路包括所述目标数量个相互并联的下电流支路；各个所述下电流支路中均设置有开关；所述第二电流支路的一端接地；所述第二电流支路的另一端和所述第二连接点相连。

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