恭喜长鑫存储技术有限公司李婷获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制造方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725005B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110003495.3，技术领域涉及：H01L21/764；该发明授权半导体结构的制造方法及半导体结构是由李婷;周厚宏设计研发完成，并于2021-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制造方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，制造方法包括：提供基底，所述基底内具有电接触层；在所述基底上形成绝缘层，所述绝缘层内具有贯穿所述绝缘层的通孔，且所述通孔露出所述电接触层的表面；在所述通孔的侧壁形成侧墙层；形成第一隔离层，所述第一隔离层覆盖所述侧墙层的表面以及所述绝缘层暴露的表面；去除所述侧墙层，形成位于所述第一隔离层与所述绝缘层之间的间隙；形成填充所述通孔的导电层，所述导电层与所述电接触层电连接。本发明实施例提供的半导体结构的制造方法能够有效降低半导体结构的寄生电容。
本发明授权半导体结构的制造方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内具有电接触层及隔离相邻所述电接触层的隔离结构；在所述基底上形成绝缘层，所述绝缘层内具有贯穿所述绝缘层的通孔，且所述通孔露出所述电接触层的表面；所述绝缘层的宽度大于或等于隔离结构的宽度的二分之一，且小于或等于隔离结构的宽度；在所述通孔的侧壁形成侧墙层；所述侧墙层的顶面低于所述绝缘层的顶面；形成第一隔离层，所述第一隔离层覆盖所述侧墙层的表面以及所述绝缘层暴露的表面；去除所述侧墙层，形成位于所述第一隔离层与所述绝缘层之间的间隙；形成填充所述通孔的导电层，所述导电层与所述电接触层电连接。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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