恭喜长鑫存储技术有限公司杨蒙蒙获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制造方法和半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695097B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011622576.3，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权半导体结构的制造方法和半导体结构是由杨蒙蒙;白杰设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制造方法和半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，涉及半导体制造技术领域，旨在解决目前功函数调节层中的氮化钛层易被氧化，导致的层间电阻值增加，影响半导体结构性能的问题。该半导体结构的制造方法包括提供衬底；在衬底上形成堆栈层；其中，堆栈层包括依次层叠设置的界面层、高介电常数层和功函数复合层；在堆栈层上形成过渡层；在过渡层上形成金属栅极层。其中，功函数复合层通过物理气相沉积法制备。本发明能够有效缓解功函数调节过程中，所使用的功函数调节层中的部分材料易发生氧化的问题，从而减小半导体结构中的层间电阻值，有助于完成功函数调整过程，以提升该半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构的制造方法和半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括有源区，所述有源区包括源极区、漏极区以及沟道区；在所述衬底上形成堆栈层；其中，所述堆栈层包括依次层叠设置的界面层、高介电常数层和功函数复合层，所述功函数复合层包括依次层叠设置的第一阻碍层、功函数层和第二阻碍层，所述第一阻碍层位于所述功函数层的靠近所述高介电常数层的一侧，所述第二阻碍层位于所述功函数层的远离所述高介电常数层的一侧；在所述堆栈层上形成过渡层，所述过渡层的材料包括多晶硅；在所述过渡层上形成金属栅极层，所述金属栅极层的材料包括铝或钨；其中，所述功函数复合层通过物理气相沉积法制备。
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