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龙图腾网恭喜韩华思路信申请的专利硅锭连续生长器的吸排气装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114293244B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011404191.X，技术领域涉及：C30B15/00；该发明授权硅锭连续生长器的吸排气装置是由李泳敏;李京锡;全韩雄设计研发完成，并于2020-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅锭连续生长器的吸排气装置在说明书摘要公布了：本发明公开硅锭连续生长器的吸排气装置。本发明的硅锭连续生长器的吸排气装置可包括：腔室，分为第一区域和第二区域，上述第一区域的内部维持真空气氛，在中心设置主坩埚，用于使锭生长，在上述第二区域的上端外侧设置用于向上述主坩埚供给熔融硅的预备熔融器；以及真空泵，与上述腔室相连接，以使得腔室内部维持真空气氛的方式提供真空压力，可在上述腔室的第一区域设置使得用于排除腔室内部的氧化物和杂质的非活性气体流入的第一注入口以及进行排气的第一排气口，可在上述腔室的第二区域设置使得非活性气体流入的第二注入口以及进行排气的第二排气口。

本发明授权硅锭连续生长器的吸排气装置在权利要求书中公布了：1.一种硅锭连续生长器的吸排气装置，其特征在于，包括：腔室，分为第一区域和第二区域，上述第一区域的内部维持真空气氛，在中心设置主坩埚，用于使锭生长，在上述第二区域的上端外侧设置用于向上述主坩埚供给熔融硅的预备熔融器；真空泵，与上述腔室相连接，以使得腔室内部维持真空气氛的方式提供真空压力；以及反射板，上述反射板从上述第二区域的上端沿着上述第一区域与上述第二区域之间的边界延伸到上述主坩埚的上侧；在上述腔室的第一区域设置使得用于排除腔室内部的氧化物和杂质的非活性气体流入的第一注入口以及进行排气的第一排气口，在上述腔室的第二区域设置使得非活性气体流入的第二注入口以及进行排气的第二排气口，上述第二注入口贯通位于上述第一区域与第二区域之间的边界的上端的上述反射板，通过使非活性气体向上述边界流入，利用非活性气体流来划分上述第一区域和上述第二区域，上述第二排气口贯通上述第二区域的外侧上端，上述第二排气口在上述第二区域中的最高位置，上述第二注入口与上述主坩埚之间的距离相对小于上述第二排气口与上述主坩埚之间的距离，上述第一排气口与上述第二排气口之间的直径比例为16∶1以下且13∶1以上。

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