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龙图腾网恭喜安靠科技新加坡控股私人有限公司申请的专利半导体装置及制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112736061B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011168372.7，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权半导体装置及制造半导体装置的方法是由杨基业;柳坤汉;邱翰设计研发完成，并于2020-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了：半导体装置及制造半导体装置的方法。本公开的各种方面提供一种包括电子装置的装置，所述电子装置包括第一装置侧、第二装置侧和第一横向装置侧。所述装置可例如还包括衬底，所述衬底包括第一衬底侧、第二衬底侧和第一横向衬底侧。所述衬底可例如包括第一导电图案、第一阻挡结构和第二导电图案。所述第一导电图案可例如包括第一侧、第二侧和第一横向侧。所述第一阻挡结构可例如位于所述第一导电图案的所述第一横向侧上。所述第二导电图案可例如包括第一侧、第二侧和第一横向侧。所述第二导电图案的所述第一横向侧可例如不含金属阻挡结构。

本发明授权半导体装置及制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种装置，其特征在于，所述装置包括：电子装置，其包括第一装置侧、与所述第一装置侧相对的第二装置侧和在所述第一装置侧与所述第二装置侧之间延伸的第一横向装置侧；和衬底，其包括面朝所述第二装置侧的第一衬底侧、与所述第一衬底侧相对的第二衬底侧和在所述第一衬底侧与所述第二衬底侧之间延伸的第一横向衬底侧，其中所述衬底包括：第一导电图案，所述第一导电图案包括面朝所述电子装置的第一导电图案第一侧、与所述第一导电图案第一侧相对的第一导电图案第二侧和在所述第一导电图案第一侧与所述第一导电图案第二侧之间延伸的第一导电图案第一横向侧；第一阻挡结构，所述第一阻挡结构位于所述第一导电图案第一横向侧上，其中所述第一阻挡结构包括金属；和第二导电图案，所述第二导电图案包括面朝所述第一导电图案第二侧的第二导电图案第一侧、与所述第二导电图案第一侧相对的第二导电图案第二侧和在所述第二导电图案第一侧与所述第二导电图案第二侧之间延伸的第二导电图案第一横向侧；其中所述第一阻挡结构包括：第一晶种金属，所述第一晶种金属位于所述第一导电图案第一横向侧上，所述第一晶种金属包括横向地背离所述第一导电图案第一横向侧的第一横向侧；和第一氧化物，所述第一氧化物仅覆盖所述第一晶种金属的所述第一横向侧的一部分；以及其中所述第二导电图案第一横向侧不含金属阻挡结构。

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