买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜三菱电机株式会社申请的专利碳化硅半导体装置以及电力变换装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116325176B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080105188.X，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权碳化硅半导体装置以及电力变换装置是由川原洸太朗;日野史郎设计研发完成，并于2020-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅半导体装置以及电力变换装置在说明书摘要公布了：本发明的碳化硅半导体装置具有形成于活性区域101与活性感测区域102之间的虚设感测区域103，具备第1导电类型的漂移层，在活性区域101，形成包括与源极电极连接的第2导电类型的第1阱区域30的SBD内置MOSFET，在活性感测区域102，形成包括与感测焊盘83连接的第2导电类型的第2阱区域31的SBD内置MOSFET，在虚设感测区域103，在n型的漂移层20的上层部形成与源极电极81和感测焊盘83中的任意一个都不欧姆连接的、第2导电类型的第3阱区域32。活性区域101的SBD内置MOSFET和活性感测区域102的SBD内置MOSFET的栅极电极60与栅极焊盘82连接。

本发明授权碳化硅半导体装置以及电力变换装置在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，所述碳化硅半导体装置具有形成于活性区域与活性感测区域之间的虚设感测区域，所述碳化硅半导体装置具备：第1导电类型的碳化硅的半导体基板；第1导电类型的漂移层，形成于所述半导体基板上；第2导电类型的第1阱区域，在所述活性区域的所述漂移层设置有多个；多个第1导电类型的第1离开区域，与各个所述第1阱区域邻接地形成；第1欧姆电极，设置于所述第1阱区域上；第1导电类型的源极区域，形成于所述第1阱区域的表层部；源极电极，与所述第1离开区域相接地设置，与所述第1离开区域肖特基连接并且与所述第1欧姆电极电连接；第2导电类型的第2阱区域，离开所述第1阱区域地设置于所述活性感测区域的所述漂移层的表层；多个第1导电类型的第3离开区域，与各个所述第2阱区域邻接地形成；第2欧姆电极，设置于所述第2阱区域上；感测焊盘，与所述第3离开区域相接地设置，与所述第3离开区域肖特基连接并且与所述第2欧姆电极电连接，形成于所述活性感测区域和虚设感测区域；第1导电类型的感测源极区域，形成于所述第2阱区域的表层部；栅极绝缘膜，与所述第1阱区域和所述第2阱区域相接地形成；栅极电极，隔着所述栅极绝缘膜与所述第1阱区域和所述第2阱区域对置地形成；栅极焊盘，与所述栅极电极电连接；以及第2导电类型的第3阱区域，在所述第1阱区域与所述第2阱区域之间的虚设感测区域内的所述漂移层的表层离开所述第1阱区域和所述第2阱区域地形成，与所述源极电极和所述感测焊盘中的任意一个都不欧姆连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三菱电机株式会社，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。