恭喜台湾积体电路制造股份有限公司张容华获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构、封装结构及形成半导体结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112530892B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010139145.5，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权半导体结构、封装结构及形成半导体结构的方法是由张容华;卢思维;施应庆设计研发完成，并于2020-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、封装结构及形成半导体结构的方法在说明书摘要公布了：一种包括集成电路管芯及多个导电凸块的半导体结构。集成电路管芯包括多个凸块接垫。多个导电凸块设置在多个凸块接垫上。多个导电凸块中的每一者包括设置在多个凸块接垫中的一者上的第一柱部分及设置在第一柱部分上的第二柱部分。第二柱部分经由第一柱部分电连接到多个凸块接垫中的一者，其中第一柱部分的第一宽度大于第二柱部分的第二宽度。也提供一种包括上述半导体结构的封装结构。
本发明授权半导体结构、封装结构及形成半导体结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其中，包括：电路衬底，包括多个第一凸块接垫及设置在所述多个第一凸块接垫上的多个第一导电凸块；半导体结构，包括集成电路管芯，所述集成电路管芯包括多个第二凸块接垫及设置在所述多个第二凸块接垫上的多个第二导电凸块，所述多个第二导电凸块中的每一者分别包括设置在所述多个第二凸块接垫中的一者上的第一柱部分及设置在所述第一柱部分上的第二柱部分，所述第二柱部分与所述第一柱部分及所述多个第一凸块接垫中的一者，所述第一柱部分的第一宽度大于所述第二柱部分的第二宽度，且所述集成电路管芯设置在所述电路衬底上且经由所述多个第二导电凸块电连接到所述电路衬底；存储器立方体，设置在所述电路衬底上且电连接到所述电路衬底，其中所述集成电路管芯与所述电路衬底之间的第一距离大于所述存储器立方体与所述电路衬底之间的第二距离；以及绝缘包封体，横向地包封所述集成电路管芯及所述存储器立方体。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号(邮递区号30078)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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