恭喜台湾积体电路制造股份有限公司胡致嘉获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112420659B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010047731.7，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权半导体结构及其制造方法是由胡致嘉;陈宪伟;陈明发;詹森博设计研发完成，并于2020-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括半导体衬底、多个内连层、第一连接件及第二连接件。半导体衬底在所述半导体衬底中包括多个半导体器件。内连层设置在半导体衬底之上且电耦合到半导体器件。第一连接件设置在所述多个内连层之上且延伸到与所述多个内连层的第一层级接触。第二连接件设置在所述多个内连层之上且与第一连接件实质上齐平。第二连接件比第一连接件延伸得更远，以与位于所述多个内连层的第一层级与半导体衬底之间的所述多个内连层的第二层级接触，第一连接件宽于第二连接件。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底中包括多个半导体器件；多个内连层，设置在所述半导体衬底之上且电耦合到所述半导体器件；第一连接件，设置在所述多个内连层之上且延伸到与所述多个内连层的第一层级接触；第二连接件，设置在所述多个内连层之上且与所述第一连接件实质上齐平，所述第二连接件比所述第一连接件延伸得更远，以与位于所述多个内连层的所述第一层级与所述半导体衬底之间的所述多个内连层的第二层级接触，所述第一连接件宽于所述第二连接件；以及半导体穿孔，穿透过所述半导体衬底以与所述多个内连层中的任一层接触，所述半导体穿孔通过所述多个内连层电耦合到所述半导体衬底的所述半导体器件，其中所述半导体穿孔的顶表面位于所述半导体衬底的顶表面与所述多个内连层的所述第一层级的顶表面之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号