恭喜台湾积体电路制造股份有限公司吴俊毅获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利封装体及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112086443B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910993012.1，技术领域涉及：H10D80/20；该发明授权封装体及其形成方法是由吴俊毅;余振华设计研发完成，并于2019-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装体及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体封装体及其形成方法。在实施例中，一种封装体包括：衬底；第一管芯，设置在衬底内；重布线结构，位于衬底及第一管芯之上；以及经包封器件，位于重布线结构之上，重布线结构将第一管芯耦合到所述经包封器件。
本发明授权封装体及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种封装体，包括：衬底；第一管芯，设置在所述衬底内；重布线结构，位于所述衬底及所述第一管芯之上；以及经包封器件，位于所述重布线结构之上，所述重布线结构将所述第一管芯耦合到所述经包封器件，其中所述重布线结构包括一个或多个介电层及一个或多个模制化合物层，所述介电层包括介电材料，所述模制化合物层包括模制化合物材料，且所述模制化合物材料具有比所述介电材料更低的阻抗。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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