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龙图腾网恭喜三菱电机株式会社申请的专利半导体装置以及电力变换装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113994467B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980097627.4，技术领域涉及：H01L23/58；该发明授权半导体装置以及电力变换装置是由和田幸彦设计研发完成，并于2019-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置以及电力变换装置在说明书摘要公布了：发射极主端子3通过多个第1键合线15而与功率半导体元件1的发射极电极面12连接。发射极参考端子4通过第2键合线16而与功率半导体元件1的发射极电极面12连接。劣化部位确定部9参考规定了针对作为集电极主端子2的电位与发射极主端子3的电位之差的第1电压的时间变化以及作为发射极参考端子4的电位与发射极主端子3的电位之差的第2电压的时间变化的组合的、多个第1键合线15与分别连接的发射极电极面12之间的多个接合部位20之中的劣化部位的对应信息，确定与由第1电压测量电路5测量的第1电压的时间变化以及由第2电压测量电路6测量的第2电压的时间变化的组合对应的劣化部位。

本发明授权半导体装置以及电力变换装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备：功率半导体元件；集电极基板，与所述功率半导体元件电连接；集电极主端子，与所述集电极基板电连接；发射极主端子，通过多个第1键合线而与所述功率半导体元件的发射极电极面连接；发射极参考端子，通过第2键合线而与所述功率半导体元件的所述发射极电极面连接；第1电压测量电路，测量所述集电极主端子的电位与所述发射极主端子的电位之差即第1电压；第2电压测量电路，测量所述发射极参考端子的电位与所述发射极主端子的电位之差即第2电压；以及劣化部位确定部，参考规定了针对所述第1电压的时间变化以及所述第2电压的时间变化的组合的、所述多个第1键合线与分别连接的所述发射极电极面之间的多个接合部位之中的劣化部位的对应信息，确定与由所述第1电压测量电路测量的所述第1电压的时间变化以及由所述第2电压测量电路测量的所述第2电压的时间变化的组合对应的所述劣化部位。

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