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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体器件、半导体封装件和制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110610923B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910504531.7，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权半导体器件、半导体封装件和制造半导体器件的方法是由洪义官;金泰成设计研发完成，并于2019-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件、半导体封装件和制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：提供了一种半导体器件、一种半导体封装件和一种制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：第一结构，所述第一结构包括第一导电图案，所述第一导电图案在所述第一结构的上部被暴露；模制层，所述模制层覆盖所述第一导电图案；第二结构，所述第二结构位于所述模制层上；以及贯穿通路，所述贯穿通路穿过所述第二结构和所述模制层，所述贯穿通路电连接到所述第一导电图案，所述贯穿通路包括位于所述第二结构中的第一通路部分和位于所述模制层中的第二通路部分，所述第二通路部分连接到所述第一通路部分，所述第二通路部分的上部具有第一宽度，所述第二通路部分的中间部分具有大于所述第一宽度的第二宽度。

本发明授权半导体器件、半导体封装件和制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一结构，所述第一结构包括第一导电图案，所述第一导电图案在所述第一结构的上部被暴露；模制层，所述模制层覆盖所述第一导电图案；第二结构，所述第二结构位于所述模制层上；贯穿通路，所述贯穿通路穿过所述第二结构和所述模制层，所述贯穿通路电连接到所述第一导电图案，所述贯穿通路包括：第一通路部分，所述第一通路部分位于所述第二结构中，以及第二通路部分，所述第二通路部分位于所述模制层中，所述第二通路部分连接到所述第一通路部分，所述第二通路部分的上部具有第一宽度，所述第二通路部分的中间部分具有大于所述第一宽度的第二宽度；以及通路绝缘图案，所述通路绝缘图案包括位于所述贯穿通路与所述第二结构之间的第一部分以及位于所述贯穿通路与所述模制层之间的第二部分，所述通路绝缘图案包括布置在所述第二通路部分与所述第一导电图案之间的第三部分。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。