恭喜三星电子株式会社金起范获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110416378B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910345169.3，技术领域涉及：H10H20/832；该发明授权半导体发光装置是由金起范;尹柱宪设计研发完成，并于2019-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体发光装置在说明书摘要公布了：一种半导体发光装置包括：发光结构，其具有第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；透明电极层，其位于所述第二导电类型半导体层上；以及反射电极结构，其位于所述透明电极层上。所述反射电极结构包括：透光绝缘层，其位于所述透明电极层上且具有绝缘图案，所述绝缘图案的侧面的一部分是敞开的，并且所述透明电极层的接触区由所述绝缘图案之间的区限定；气隙，其位于所述透明电极层和所述绝缘图案之间，所述气隙在所述绝缘图案的侧面的敞开部分中延伸；以及反射电极层，其位于所述绝缘图案上以覆盖所述绝缘图案的敞开部分，所述反射电极层连接至所述透明电极层的接触区。
本发明授权半导体发光装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光装置，包括：发光结构，其包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；透明电极层，其位于所述第二导电类型半导体层上；以及反射电极结构，其位于所述透明电极层上，所述反射电极结构包括：透光绝缘层，其位于所述透明电极层上且包括多个绝缘图案，所述多个绝缘图案的侧面的一部分是敞开的，并且所述透明电极层的接触区由所述多个绝缘图案之间的区限定；多个气隙，其分别位于所述透明电极层和所述多个绝缘图案之间，所述多个气隙在所述多个绝缘图案的侧面的敞开部分中延伸；以及反射电极层，其位于所述多个绝缘图案上以覆盖所述多个绝缘图案的侧面的敞开部分，所述反射电极层连接至所述透明电极层的接触区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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