恭喜现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社千大焕获国家专利权
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龙图腾网恭喜现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110444606B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811333707.9，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权半导体装置及其制造方法是由千大焕;周洛龙设计研发完成，并于2018-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置可以包括：n型层、p+型区域、p‑型区域、第一电极和第二电极，所述n型层设置在衬底的第一表面上；所述p+型区域设置在衬底的第一表面上；所述p‑型区域设置在n型层的顶表面上；所述第一电极设置在p+型区域上和p‑型区域上；所述第二电极设置在衬底的第二表面上；其中，p+型区域的侧表面和n型层的侧表面接触，并且p+型区域的厚度与n型层的厚度和p‑型区域的厚度相同。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其包括：n型层，其设置在衬底的第一表面上；p+型区域，其设置在衬底的第一表面上；p-型区域，其设置在所述n型层的顶表面上；第一电极，其设置在所述p+型区域的顶表面上和所述p-型区域的顶表面上；第二电极，其设置在衬底的第二表面上；其中，所述p+型区域的侧表面和所述n型层的侧表面接触，从而所述p+型区域与所述n型层形成PN结；所述p+型区域的厚度与所述n型层的厚度和所述p-型区域的厚度的总和相同；所述第一电极包括设置在所述p-型区域的顶表面上的第一金属层和设置在所述第一金属层上的第二金属层；所述第一金属层与所述p-型区域连续接触，从而所述第一金属层与所述p-型区域形成肖特基结；所述PN结的耗尽层与所述肖特基结的耗尽层的延伸方向不同；所述p+型区域的离子掺杂浓度高于所述p-型区域的离子掺杂浓度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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