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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利一种电子封装用的氮化铝陶瓷及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118930279B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411218058.3，技术领域涉及：C04B35/581；该发明授权一种电子封装用的氮化铝陶瓷及其制备方法是由徐志刚;何开平;王传彬;彭健;沈强;张联盟设计研发完成，并于2024-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电子封装用的氮化铝陶瓷及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种电子封装用的氮化铝陶瓷及其制备方法，属于电子封装陶瓷材料领域，在氮化铝陶瓷烧结过程中以氮化铝为原料，加入氢化铒及氧化钇作为复合助剂进行烧结，所述氢化铒粉末及氧化钇粉末按照质量百分比均为烧结所需混合物料的总质量1wt％～5wt％，余量为氮化铝粉末。本发明采用稀土氢化物作为烧结助剂，氢化物分解产生的稀土元素单质可以结合氧化铝中的氧元素，产生的稀土氧化物可以继续与氧化铝反应，稀土氢化物有双重除氧作用，避免氧进入氮化铝晶格形成缺陷，可以有效提高热导率；以氢化铒及氧化钇作为复合烧结助剂可以降低生成铝酸盐液相的共晶线，使液相出现在更低的温度，促进样品的致密度。

本发明授权一种电子封装用的氮化铝陶瓷及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电子封装用的氮化铝陶瓷的制备方法，其特征在于：在氮化铝陶瓷烧结过程中以氮化铝为原料，加入氢化铒及氧化钇作为复合助剂进行烧结，所述制备方法包括以下步骤，步骤一，称取产品需求配比所需质量的氢化铒粉末进行球磨处理，球磨处理后的所述氢化铒粉末为平均粒径为3~5μm的化学纯粉末；步骤二，按照产品需求的配比称取经过球磨、干燥后处理的氢化铒粉末、氧化钇粉末及氮化铝充分混匀；氮化铝粉体平均粒径为1~2μm，氧化钇粉末平均粒径为1~3μm；步骤三，将混匀好的混合物料投入石墨模具中，并把石墨模具放入氮气氛围的热压炉中进行烧结，烧结完成获得氮化铝陶瓷产品；烧结过程中设有温度控制策略，并通过所述温度控制策略控制烧结过程中的温度变化，所述温度控制策略为，在室温下以5~20℃min的升温速率加热到所需温度，并在此温度下进行保温，保温完成后，随炉降温至室温；所需烧结温度的范围为1500～1800℃；所述温度控制策略中的保温烧结时间为2h~6h；烧结压力为20Mpa~50Mpa；所述氢化铒粉末及氧化钇粉末按照质量百分比均为烧结所需混合物料的总质量3wt%~5wt%。

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