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龙图腾网恭喜基础科学公司申请的专利用于对半导体晶片集成分解和扫描的系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110034043B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811466598.8，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权用于对半导体晶片集成分解和扫描的系统是由T·约斯特;D·R·维德林;B·马特;J·卡泽尔;J·海因;J·S·李;J·M·金;S·H·苏蒂卡设计研发完成，并于2018-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于对半导体晶片集成分解和扫描的系统在说明书摘要公布了：描述了用于半导体晶片的集成分解和扫描的系统和方法，其中单个腔室用于分解和扫描感兴趣的晶片。

本发明授权用于对半导体晶片集成分解和扫描的系统在权利要求书中公布了：1.一种用于对半导体晶片的表面进行分解和扫描的腔室，包括：腔室本体，所述腔室本体限定内部区域和位于所述腔室的顶部以将半导体晶片接收到腔室本体的内部区域中的第一孔；凸缘，所述凸缘在所述腔室本体的顶部与所述腔室本体的底部之间的所述腔室本体的中间部处突伸到所述内部区域中，所述凸缘在所述内部区域内于所述中间部处限定第二孔；晶片支承件，所述晶片支承件被配置成保持所述半导体晶片的至少一部分，所述晶片支承件在腔室本体的内部区域内可定位在与所述第一孔相邻的至少第一位置和与所述第二孔相邻的第二位置之间；电机系统，所述电机系统可操作地与所述晶片支承件耦接，所述电机系统被配置成将所述晶片支承件相对于所述腔室本体的竖直位置至少控制至所述第一位置和所述第二位置，所述第一位置用于由扫描喷嘴接近所述半导体晶片，所述第二位置用于所述半导体晶片的表面的分解；喷雾器，所述喷雾器定位在所述第一孔和所述第二孔之间，所述喷雾器被配置成当所述晶片支承件被所述电机系统定位在所述第二位置时将分解流体喷洒到所述半导体晶片的表面上；在所述腔室本体的内部区域内于所述第二孔下方的气体出口端口；以及耦接至气体源的控制器，所述控制器被配置成在所述晶片支承件定位在所述第二位置时，在通过所述喷雾器将分解流体引到所述半导体晶片的表面上期间将气体从所述气体源引至所述气体出口端口。

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